碳化矽成形体之制造方法

摘要

本发明系有关于一种碳化矽成形体之制造方法，其方法包括将聚碳化二亚胺树脂转变成所需形状之成形体，接着使成形体碳化，碳化后之成形体与矽或含有矽之气体反应，且可藉由CVD法于碳化矽成形体上形成碳化矽层。本发明提供一可解决知问题，与具有高纯度与高密度之碳化矽成形体，当其制造成如薄膜或类似薄成型物时不会产生翘曲情形之碳化矽成形体。

主权项

1.一种碳化矽成形体之制造方法,其包括将聚碳化 二亚胺树脂转变成所需形状之成形体,使成形体碳 化,及将碳化后之成形体与矽或含有矽之氧气体反 应。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中将该碳 化之成形体置于惰性气体与 1,000-3,000℃温度下。3.一种碳化矽成形体之制造方 法,其方法包括将聚碳化二亚胺树脂转变成所需形 状之成形体,使成形体碳化,将碳化后之成形体与 矽或含有矽之气体反应,并藉由CVD法于碳化矽成形 体上形成碳化矽层。4.根据申请专利范围第3项之 方法,其中将该碳化之成形体置于惰性气体与 1,000-3,000℃温度下。