发明名称 半导体器件及其生产工艺
摘要 具有抗回流特性的半导体器件包含:安置在芯片1的主表面1a上,且其中制作暴露电极焊点1b的窗口3c的多孔弹性体3;配备有从主表面1a延伸到外面的引线4c,其一端电连接到电极焊点1b,而另一端电连接到凸块电极2,且其中制作暴露电极焊点1b的窗口4e的带状衬底4;用来增强对凸块电极2的支持的框架形状加固元件6;以及用来密封电极焊点1b和引线4c的密封部分。加固元件6增强了带状衬底4对凸块电极2的支持。
申请公布号 CN1289143A 申请公布日期 2001.03.28
申请号 CN00126862.7 申请日期 2000.09.07
申请人 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 发明人 秋山雪治;柴本正训;下石智明;有田顺一
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体器件,它包含:安置在半导体芯片的主表面上以及芯片主表面外面的多个凸块电极;安置在半导体芯片的主表面上,且其中制作从中暴露半导体芯片的连接端子的窗口的多孔弹性元件;配备有从半导体芯片的主表面延伸到芯片外面的引线,其一端电连接到连接端子而另一端电连接到凸块电极,且其中制作用来暴露连接端子的窗口的带状衬底;用来加固对安置在半导体芯片外面的凸块电极的支持的加固元件;以及用来密封半导体芯片的连接端子和带状衬底的引线的密封部分。
地址 日本东京