| 主权项 |
1.一种降低焊垫阻値的焊垫制造方法,适用在一焊垫上,包括:在该焊垫上形成一金属层/氮化金属层,其中该金属层具有一较该氮化金属层为低的电阻;在该金属层/氮化金属层上形成一保护层,该保护层具有一开口,暴露出部分该氮化金属层;以及去除暴露出的该氮化金属层,使该金属层暴露出。2.如申请专利范围第1项所述之降低焊垫阻値的焊垫制造方法,其中该金属层包括钛层。3.如申请专利范围第1项所述之降低焊垫阻値的焊垫制造方法,其中该氮化金属层包括氮化钛层。4.如申请专利范围第1项所述之降低焊垫阻値的焊垫制造方法,其中去除暴露出的氮化金属层包括以乾蚀刻法去除。5.如申请专利范围第1项所述之降低焊垫阻値的焊垫制造方法,其中去除暴露出的氮化金属层包括以湿蚀刻法去除。6.如申请专利范围第1项所述之降低焊垫阻値的焊垫制造方法,其中该保护层包括一氮化矽/氧化物层。7.如申请专利范围第1项所述之降低焊垫阻値的焊垫制造方法,其中该金属层厚度约为50-250埃左右。8.如申请专利范围第1项所述之降低焊垫阻値的焊垫制造方法,其中该氮化金属层厚度约为50-250埃左右。9.一种焊垫的制造方法,包括:提供一金属焊垫;在该金属焊垫上依序形成一钛层与一氮化钛层;在该氮化钛层上形成一保护层;以该氮化钛层为蚀刻终点,利用一光阻在该保护层上形成一焊垫开口,暴露出该氮化钛层;以及以该光阻为罩幕,去除暴露出的该氮化钛层,暴露出该钛层。10.如申请专利范围第9项所述之焊垫的制造方法,其中去除暴露出的氮化钛层包括以乾蚀刻法去除。11.如申请专利范围第9项所述之焊垫的制造方法,其中去除暴露出的氮化钛层包括以湿蚀刻法去除。12.如申请专利范围第9项所述之焊垫的制造方法,其中该保护层包括一氮化矽/氧化物层。13.如申请专利范围第9项所述之焊垫的制造方法,其中该钛层厚度约为50-250埃左右。14.如申请专利范围第9项所述之焊垫的制造方法,其中该氮化钛层厚度约为50-250埃左右。图式简单说明:第一图A-第一图C系显示根据本发明较佳实施例降低焊垫阻値的焊垫之制造流程剖面图。 |
