| 主权项 |
1.在一多层熔炉中直接还原铁之制造方法,该熔炉有一个叠一个的若干层,矿砂被持续引入该多层熔炉中并堆积在顶层而逐渐输送至低层,一还原剂被引入多层熔炉低层中的一个并与矿砂反应以形成直接还原的铁,后者同多层熔炉的底层区域中之还原剂残留物一起被排出。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中还原剂是以固体、液体和/或气体形式引入该多层熔炉中。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该直接还原的铁在从多层熔炉中排出后被冷却到400℃至700℃,随后由一磁性分离器将其从还原剂残留物中分离出。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该制得的直接还原的铁进一步做成块状或球状。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该直接还原的铁在从多层熔炉中排出后在炽热状态下由筛将其从还原剂残留物中分离出。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该制得的直接还原的铁进一步做成块状或球状。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该直接还原的铁和残留物熔化或不和残留物熔化。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中所有未使用的还原剂在排出多层熔炉后从残留物中被分离出。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中还原剂的残留物从直接还原的铁中被分离出来,并在外部燃烧室中被燃烧,并且所产生的热量供给至该多层炉。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中将直接还原铁和还原剂残留物的分离方法包括磁性分离法或筛除分离法。11.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中还原剂引入多层熔炉的不同低层中。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中粗大颗粒的还原剂在高处而细致颗粒的还原剂从低处引入该多层熔炉中。13.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中过量的还原剂被引入该多层熔炉中。14.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中在加入还原剂前,矿砂在多层熔炉中被乾燥并随后在400℃至900℃之间被加热,最好至少850℃。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中矿砂在该多层熔炉中被乾燥10至15分钟,并在150℃至450℃的范围内被加热,最好至少850℃。16.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中矿砂、所有存在的还原剂和直接还原的铁在层中每一至三分钟循环一次。17.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中含氧气体选择地注入不同层中。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中含氧气体的温度至少为350℃。19.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中气态还原剂被注入多层熔炉的底层。20.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中由燃烧器加热熔炉的一层或更多层。21.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中熔炉一层或更多层被间接加热。22.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中气体在一层或更多层中从该多层熔炉中排出。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中排出气体的还原能力被增强,并且该气体随后再引入该多层熔炉中。24.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中添加剂于引入还原剂的那层之下一层中被引入。25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中气体在引入添加剂的那层的上一层排出。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中气体在一特定层之下从该多层熔炉中排出,并随后于该层之上全部或部分地重新注入。27.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中气体在一特定层之下从该多层熔炉中排出,并随后于该层之上全部或部分地重新注入。28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中含碳和重金属的氧化铁微粒被引入该熔炉,被还原并在此挥发,且这些层所产生的气体被分别排出。29.如申请专利范围第1至10项中任一项所述之方法,其中该方法在过度压力下实施。30.一种藉由如申请专利范围第1至10项所述之方法而生产直接还原铁的多层熔炉。图式简单说明:第一图:显示了用以直接还原铁之制造的多层式熔炉的剖面;第二图:为另一种用以直接还原铁之制造的多层式熔炉的剖面。 |
