| 主权项 |
1.一种低介电绝缘结构之形成方法,包括: 于一基底上形成一堆叠绝缘层,该堆叠绝缘层中至 少包括一第一绝缘层与一第二绝缘层,该第二绝缘 层系堆叠于该第一绝缘层上; 去除该堆叠绝缘层选定之部分,藉以形成所需之图 案化堆叠绝缘层; 进行选择性蚀刻,去除部分该第一绝缘层,藉以从 该图案化堆叠绝缘层之侧壁起,在该图案化堆叠绝 缘层中形成复数个缺口;以及 于该图案化堆叠绝缘层之侧壁上形成一上下延伸 之连续侧壁间隙壁,藉以包覆该些缺口,在该堆叠 绝缘层中形成复数个间隙。2.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中该第二绝缘层包括以电浆强化 化学气相沉积法所形成之氧化矽层。3.如申请专 利范围第1项所述之方法,其中该第一绝缘层的材 质包括低介电绝缘层。4.如申请专利范围第3项所 述之方法,其中该低介电绝缘层的材质包括旋涂式 有机聚合物。5.如申请专利范围第3项所述之方法, 其中该低介电绝缘层的材质包括有机旋涂式玻璃 。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该堆叠 绝缘层包括交错堆叠之氧化矽层与低介电绝缘层, 其中该堆叠绝缘层之最上层为氧化矽层。7.如申 请专利范围第1项所述之方法,其中去除该堆叠绝 缘层选定之部分,包括形成金属内连线之开口。8. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该连 续侧壁间隙壁的方法包括于该基底上覆盖一溅镀 氧化矽层,再进行回蚀刻,以形成该连续侧壁间隙 壁。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该些 间隙中填满气体。10.一种低介电绝缘结构之形成 方法,包括: 于一基底上形成一堆叠绝缘层,该堆叠绝缘层系由 至少一第一绝缘层与至少一第二绝缘层交错堆叠 而成,该堆叠绝缘层中之最上层为该第二绝缘层; 去除该堆叠绝缘层选定之部分,藉以形成所需之图 案化堆叠绝缘层; 进行选择性蚀刻,去除部分该第一绝缘层;以及 于该图案化堆叠绝缘层之侧壁形成一上下延伸且 与基底连接之连续侧壁间隙壁,其中在该间隙壁与 该第一绝缘层之侧壁间形成有复数个间隙。11.如 申请专利范围第10项所述之方法,其中该第二绝缘 层包括以电浆强化化学气相沉积法所形成之氧化 矽层。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中 该第一绝缘层的材质包括低介电绝缘层。13.如申 请专利范围第12项所述之方法,其中该低介电绝缘 层的材质包括旋涂式有机聚合物。14.如申请专利 范围第12项所述之方法,其中该低介电绝缘层的材 质包括有机旋涂式玻璃。15.如申请专利范围第10 项所述之方法,其中去除该堆叠绝缘层选定之部分 ,包括形成金属内连线之开口。16.如申请专利范围 第10项所述之方法,其中形成该连续侧壁间隙壁的 方法包括于该基底上覆盖一溅镀氧化矽层,再进行 回蚀刻,以形成该连续侧壁间隙壁。17.如申请专利 范围第10项所述之方法,其中该些间隙中填满气体 。18.一种金属内连线之形成方法,包括: 于一基底上形成一堆叠绝缘层,该堆叠绝缘层系由 至少一第一绝缘层与至少一第二绝缘层交错堆叠 而成,其中该堆叠绝缘层之最上层为该第二绝缘层 ; 去除该堆叠绝缘层选定之部分,藉以形成一金属内 连线开口; 进行选择性蚀刻,去除部分该第一绝缘层,藉以从 该堆叠绝缘层之侧壁起,在该堆叠绝缘层中形成复 数个缺口; 于该堆叠绝缘层之侧壁形成一连续侧壁间隙壁,藉 以包覆该些缺口,在该堆叠绝缘层中形成复数个间 隙;以及 以一导电材料填满该金属内连线开口,以形成金属 内连线。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其 中该第二绝缘层包括以电浆强化化学气相沉积法 所形成之氧化矽层。20.如申请专利范围第18项所 述之方法,其中该第一绝缘层的材质包括低介电绝 缘层。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中 该低介电绝缘层的材质包括旋涂式有机聚合物。 22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该低介 电绝缘层的材质包括有机旋涂式玻璃。23.如申请 专利范围第18项所述之方法,其中形成该连续侧壁 间隙壁的方法包括于该基底上覆盖一溅镀氧化矽 层,再进行回蚀刻,以形成该连续侧壁间隙壁。24. 如申请专利范围第18项所述之方法,其中该些间隙 中填满气体。25.如申请专利范围第18项所述之方 法,其中以一导电材料填满该金属内连线开口之前 ,更包括于该金属内连线开口之壁上形成一导电阻 障层。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中 该导电阻障层包括钛层。27.如申请专利范围第26 项所述之方法,其中该导电材料包括铝。28.如申请 专利范围第25项所述之方法,其中该导电阻障层包 括钽层。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其 中该导电材料包括铜。图式简单说明: 第一图A至第一图E是绘示依照本发明一较佳实施 例之制程剖面示意图。 |
