| 主权项 |
1.一种铁电随机存取记忆体配置,具有复数个记忆 体单胞,每一个单胞都具有一个选择电晶体(2,3)及 一个电容器元件(其具有铁电性介电质),其特征为 电容器元件由至少二个矫磁电压互相不同之电容 器(C1,C2)所构成。2.如申请专利范围第1项之铁电随 机存取记忆体配置,其中电容器(C1,C2)之介电质(6,7) 是由不同材料所构成。3.如申请专利范围第1项之 铁电随机存取记忆体配置,其中电容器(C1,C2)之介 电质(6,7)具有不同之层厚度。4.如申请专利范围第 2项之铁电随机存取记忆体配置,其中电容器(C1,C2) 之介电质(6,7)是由SrBi2Ta2O9(SBT),SrBi2(Ta1-xNbx)2O9(SBTN) 或其它SBT-衍生物,PbZr1-xTixO3(PZT)或PbZr 1-xTixLayO3所构成。5.如申请专利范围第2,3或4项之 铁电随机存取记忆体配置,其中介电质(6,7)之层厚 度大约是30至250nm。6.如申请专利范围第5项之铁电 随机存取记忆体配置,其中层厚度大约是180nm。7. 如申请专利范围第1,2,3或4项之铁电随机存取记忆 体配置,其中电容器(C1,C2)之电极(5,8,9)是由Pt,Pd,Rh, Au,Ir,Ru或其氧化物或LaSrCoOx或LaSnOx所构成。8.如申 请专利范围第1,2,3或4项之铁电随机存取记忆体配 置,其中电容器(C1,C2)具有一个共同之记忆体节点(5 )。9.如申请专利范围第7项之铁电随机存取记忆体 配置,其中电容器(C1,C2)具有一个共同之记忆体节 点(5)。10.如申请专利范围第1,2,3或4项之铁电随机 存取记忆体配置,其中电容器(C1,C2)具有不同之记 忆体节点(10,11)以及不同之共同板片(8,9)且互相藉 由中间隔离层所隔离。11.如申请专利范围第7项之 铁电随机存取记忆体配置,其中电容器(C1,C2)具有 不同之记忆体节点(10,11)以及不同之共同板片(8,9) 且互相藉由中间隔离层所隔离。12.如申请专利范 围第8项之铁电随机存取记忆体配置,其中记忆体 节点(5;10,11)经由金属架(16,15,13)而与选择电晶体(2, 3)相连接。13.如申请专利范围第10项之铁电随机存 取记忆体配置,其中记忆体节点(5;10,11)经由金属架 (16,15,13)而与选择电晶体(2,3)相连接。14.如申请专 利范围第1,2,3或4项之铁电随机存取记忆体配置,其 中电容器具有一种共同之终端(插栓)(4)。图式简 单说明: 第一图本发明第一实施例(其具有共同之记忆体节 点)之切面图。 第二图本发明第二实施例(其具有相隔离之记忆体 节点及相隔离之共同板片)之切面图。 第三图本发明第三实施例之切面图,其在电容器之 共同之记忆体节点和选择电晶体之间具有金属架 。 |
