| 主权项 |
1.一种形成电晶体之方法,包含下列步骤: 于基底之预定通道区上形成可处理闸极; 于可处理闸极附近形成侧壁介电质; 于侧壁介电质附近形成源/汲极区; 于源/汲极区上形成介电质层,介电质层包含一种 材料可相关于侧壁介电质而选择性除去; 选择性除去可处理闸极,而未实质除去侧壁介电质 ; 于预定通道区上形成闸极介电质;以及 于闸极介电质上形成闸极电极。2.如申请专利范 围第1项之方法,其中形成源/汲极区之步骤包含下 列步骤: 形成凸起源/汲极区;以及 自凸起源/汲极区扩散掺杂剂进入基底。3.如申请 专利范围第1项之方法,其中可处理闸极包含第一 材料层及不同之第二材料层。4.如申请专利范围 第3项之方法,其中第一材料层包含氧化物且第二 材料层包含矽锗。5.如申请专利范围第3项之方法, 其中第一材料层包含氧化物且第二材料层包含矽 。6.如申请专利范围第1项之方法,复包含于形成闸 极介电质步骤之前选择性除去侧壁介电质 之步骤。7.如申请专利范围第3项之方法,其中可处 理闸极复包含第三材料层在第二材料层上。8.如 申请专利范围第7项之方法,其中第一材料层包含 介电质、第二材料层包含半导体,第 三材料层包含介电质,侧壁介电质包含氮化物,且 介电质层包含氧化物。9.如申请专利范围第8项之 方法,其中半导体系矽。10.如申请专利范围第8项 之方法,其中半导体系矽锗。11.如申请专利范围第 8项之方法,其中第一材料层包含氧化物。12.如申 请专利范围第8项之方法,其中第三材料层包含氮 化物。13.如申请专利范围第8项之方法,其中第三 材料层包含氧化物。图式简单说明: 第一图系习知MOSFET结构之剖面图; 第二图系依据本发明第一实施例所形成MOSEET之剖 面图; 第三图A-H系第二图MOSFET于制程各阶段之剖面图; 第四图系第二图MOSFET于制程期闾替代实施例之剖 面图; 第五图系第二图MOSFET于制程期间替代实施例之剖 面图; 第六图A-C系第二图MOSFET于制程期间替代实施例之 剖面图; 第七图系依据本发明第二实施例所形成MOSFET之剖 面图; 第八图A-G系第四图MOSFET于制程各阶段之剖面图。 |
