发明名称 制造压电陶瓷的方法
摘要 一种主要包括CaBi<SUB>4</SUB>Ti<SUB>4</SUB>O<SUB>15</SUB>或其它具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中,其中分散有粉末氧化锆,以防止咬住,样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点(如1245℃)的温度1265℃,使其熔融或半熔融。之后退火和固化,制得颗粒取向的陶瓷。这种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷,可提高压电陶瓷的机电系数。
申请公布号 CN1287988A 申请公布日期 2001.03.21
申请号 CN00126229.7 申请日期 2000.08.16
申请人 株式会社村田制作所 发明人 木村雅彦;安藤阳
分类号 C04B35/622;C04B35/46;H01B3/12;H03H3/00 主分类号 C04B35/622
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 周承泽
主权项 权利要求书1.一种制造压电陶瓷的方法,上述方法包括下列步骤:在高于该陶瓷组合物熔点的温度下加热上述陶瓷组合物,使其熔融或半熔融,获取主要包含具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物,退火和固化上述熔融或半熔融的陶瓷组合物,形成颗粒取向的陶瓷。
地址 日本京都府