| 发明名称 | 硅锗晶体 | ||
| 摘要 | 提供作为温差电器件的性能指数得到改善和加工性优良、不会发生使用中的特性劣化或裂缝的SiGe材料。构成晶体的晶粒的大小在5×10<SUP>－5</SUP>mm<SUP>3</SUP>以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1288443A | 申请公布日期 | 2001.03.21 |
| 申请号 | CN99802262.4 | 申请日期 | 1999.11.05 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 阿部孝夫;米永一郎;五十岚哲也 |
| 分类号 | C01B33/06;C30B29/10;C30B15/00;H01L35/14 | 主分类号 | C01B33/06 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邰红;杨丽琴 |
| 主权项 | 权利要求书1．一种SixGe1-x(0＜x＜1)晶体，其特征在于：构成晶体的晶粒的大小在5×10-5mm3以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||