发明名称 给由镍或镍合金组成的薄金属片镀膜的方法
摘要 本发明涉及一种给由镍或镍合金组成的薄金属片镀膜的方法,镀膜是在真空中在薄金属片上溅射上一层金属化合物.薄金属片在压力为10<SUP>-3</SUP>至10<SUP>-3</SUP>毫巴的氩等离子体中、以等离子体离子的可变流量率和可变能量被处理可变的时间。借助于至少一个含铬或含铬合金的靶子的反应性磁控管雾化而把一层氧化铬层或含氧化铬的层连续地溅射上去。该膜层是在压力为10<SUP>-3</SUP>至10<SUP>-2</SUP>毫巴的氩-氧混合气中用至少一个雾化源溅射上去的。在给薄金属片镀膜时,工作点被恒定地保持在规定的限度之内,薄金属片被确定地与热缓冲物作热接触。薄金属片的镀膜一直要继续到其上的膜达到一阶或二阶干涉的指定干涉色为止。在薄金属片被等离子体处理后,借助于在压力为10<SUP>-3</SUP>至10<SUP>-2</SUP>毫巴的氩气中的磁控管雾化而在被等离子体处理过的薄金属片上溅射上一层铬或含铬合金层。
申请公布号 CN1288489A 申请公布日期 2001.03.21
申请号 CN99802140.7 申请日期 1999.01.11
申请人 斯托克维科有限公司;皇家菲利浦电子有限公司 发明人 J·G·W·P·古里克尔斯;K·戈迪克;J·-S·利比格;P·马洛巴比克;E·霍克雷特
分类号 C23C14/28;C23C14/00;C23C14/02 主分类号 C23C14/28
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 卢新华;邰红
主权项 1.一种给优选用电镀法制成的、由镍或镍合金组成的薄金属片镀 膜的方法,该方法借助于在真空中在薄金属片的至少一面的面积上溅 射上一层金属化合物膜,还借助于在压力为10<sup>-3</sup>至10<sup>-2</sup>毫巴的氩气等 离子体中,并以等离子体离子的流量和能量可调节的方式,处理以可 调节的时间,然后借助于在氩-氧混合气中、在压力为10<sup>-3</sup>至10<sup>-2</sup>毫 巴之下,使用至少一个溅射源的、由铬或含铬合金制成的至少一个靶 子的反应性磁控管溅射而溅射上一层氧化铬或含氧化铬的膜,在镀膜 时,工作点被保持在规定的限度以内,并把薄金属片确定地与热缓冲 物作热接触,该薄金属片的镀膜一直要继续进行到达到一阶或二阶干 涉(interferenceofthefirstorsecondorder)的干涉色为止, 在该方法中,在薄金属片作等离子体处理后,借助于在压力为 10<sup>-3</sup>至10<sup>-2</sup>毫巴的氩气下的磁控管溅射,在等离子体处理过的薄金属片 上溅射上一层铬或铬合金的膜。
地址 荷兰埃尔贝克