发明名称 | 二硅化钼基材料的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种二硅化钼基材料的制备方法。本发明选用重量百分数为铝:18.47—21.27,硅:19.18—28.31,三氧化钼:49.30—56.70,活性炭:0—3.91,镍:0—11.27的粉状反应物,采用自蔓延方法制备二硅化钼基材料的方法。该方法与热压烧结方法相比工艺及所需设备简单,成本明显降低。制备的材料具有良好的微观组织与结构及力学性能。其断裂韧性是热压烧结二硅化钼基材料的2—3倍,抗磨性能是轴承钢的4—7倍。 | ||
申请公布号 | CN1287986A | 申请公布日期 | 2001.03.21 |
申请号 | CN00126562.8 | 申请日期 | 2000.09.23 |
申请人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明人 | 喇培清;薛群基;刘维民;杨生荣 |
分类号 | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/63 | 主分类号 | C04B35/495 |
代理机构 | 中国科学院兰州专利事务所 | 代理人 | 方晓佳 |
主权项 | 1、一种二硅化钼基材料的制备方法,其特征在于包括:分别称取重量百分数为铝:18.47-21.27,硅:19.18-28.31,三氧化钼:49.30-56.70,活性碳:0-3.91,镍:0-11.27的粉状反应物;将反应物料混合,物料在石墨模具中压为反应胚体;将装有反应胚体的石墨模具置于反应容器中,用惰性气体吹扫反应容器以排除其中的空气,将物料胚体加热至220℃-250℃,并在此温度保温1-2小时;从容器中排出从反应物料表面脱附的气体,再通入3-5MPa惰性气体,以对反应后的产物进行压实,将物料胚体继续加热至300℃-350℃,并在此温度下通过引燃剂引发反应;其中引燃剂是由硫酸盐,镁粉,锰酸盐组成的混合物;引燃剂占总反应物料的重量百分含量为2-10%。 | ||
地址 | 730000甘肃省兰州市城关区天水路342号 |