发明名称 | 光电压产生器 | ||
摘要 | 一种光电压产生器,包含:一衬底;一绝缘层,设置在衬底上;第一杂质扩散层,设置在该缘层上;第二杂质扩散层,和第一杂质扩散层在平行于衬底上表面的方向上交互配置,形成多个纵向pn接面;第三杂质扩散层,其一端连接到第二杂质扩散层,而另一端横跨一纵向Pn接面,延伸入第一杂质扩散层;第四杂质扩散层,连接到第一杂质扩散层,且不连接第三杂质扩散层,而第四杂质扩散层至多横跨一纵向pn接面;以及薄膜电极层和隔离层。 | ||
申请公布号 | CN1288265A | 申请公布日期 | 2001.03.21 |
申请号 | CN99119375.X | 申请日期 | 1999.09.13 |
申请人 | 光磊科技股份有限公司 | 发明人 | 邱清彰;赖文聪 |
分类号 | H01L31/068;H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/068 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
主权项 | 1、一种光电压产生器,包含:一衬底;一绝缘层,设置在该衬底上;第一杂质扩散层,设置在该绝缘层上;第二杂质扩散层,深度达到该绝缘层,而极性和该第一杂质扩散层相反,且该第二杂质扩散层和该第一杂质扩散层在平行于该衬底上表面的方向上交互配置,形成多个纵向pn接面;第三杂质扩散层,位于与该绝缘层相反侧的该第一杂质扩散层和该第二杂质扩散层的表面层,且极性与该第二杂质扩散层相同,该第三杂质扩散层一端连接到该第二杂质扩散层,而另一端横跨一该纵向pn接面,延伸入该第一杂质扩散层;第四杂质扩散层,位于与该绝缘层相反侧的该第一杂质扩散层和该第二杂质扩散层的表面层,为极性与该第一杂质扩散层相同的高浓度杂质扩散层,该第四杂质扩散层连接到一该第一杂质扩散层,且不连接于与同一该第一杂质扩散层连接的该第三杂质扩散层,而该第四杂质扩散层至多横跨一该纵向pn接面。薄膜电极层,同时连接一该第四杂质扩散层,及一该第二杂质扩散层或一该第二杂质扩散层上的该第三杂质扩散层;以及隔离层,设置在该薄膜电极层之间。 | ||
地址 | 中国台湾 |