低电容静电放电保护装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种低电容静电放电保护装置，包括一P型基底、N型井区、两个N型电晶体、一P型环护及一P型掺杂区。N型井区形成于基底中。两个N型电晶体分别形成于N型井区之两侧。P型护环位于基底且包围两个N型电晶体及N型井区。P型掺杂区形成于N型井区中。其中，每一个N型电晶体之汲极与源极区形态系非对称。