DISPOSITIF DE MEMOIRE MAGNETIQUE

摘要

Une matrice de mémoire magnétique (120) est décrite possédant une pluralité de cellules binaires (130). Chaque cellule binaire (130) comprend au moins une couche magnétique (132, 134) munie de pôles magnétiques libres avec un champ de démagnétisation correspondant. Une couche d'absorption du flux magnétique (144) est placée entre au moins deux cellules de la pluralité de cellules binaires (130) afin de réduire les champs de démagnétisation de la pluralité de cellules binaires (130).