| 主权项 |
1.一种在牺牲光吸收材质中调整乾式蚀刻率之方 法,其包含: 判定该牺牲光吸收材质(SLAM)与一层间介电(ILD)材 质之乾式蚀刻率; 比较该ILD材质之该乾式蚀刻率与该SLAM之该乾式蚀 刻率; 在蚀刻前藉由改变该SLAM之组份的碳对矽比率而改 变该SLAM之组份以提供用于该SLAM之一改变的乾式 蚀刻率,使得该改变之SLAM之该乾式蚀刻率大约等 于该ILD材质之该乾式蚀刻率。 2.如请求项1之方法,其中改变该SLAM之该组份会增 加其乾式蚀刻率。 3.如请求项1之方法,其中改变该SLAM之该组份会降 低其乾式蚀刻率。 4.如请求项1之方法,其中该SLAM包含一以聚合物为 主之材质。 5.一种在牺牲光吸收材质中调整乾式蚀刻率之方 法,其包含: 在一金属镶嵌处理中选择供一介电材质使用之该 牺牲光吸收材质(SLAM); 当该SLAM及该介电材质同时被蚀刻时,比较该SLAM之 该乾式蚀刻率与该介电材质之一乾式蚀刻率; 判定是否需要增加或降低该SLAM之该乾式蚀刻率以 匹配该介电材质之该乾蚀刻率; 藉由以一环状或笼状形式之碳之引入而改变该SLAM 之一组份以增加或降低该SLAM之该乾式蚀刻率,使 得该改变之SLAM之该乾蚀刻率匹配该介电材质之该 乾蚀刻率。 6.如请求项5之方法,其中该介电材质为一掺杂碳之 氧化物。 7.如请求项6之方法,其中该SLAM为一以聚合物为主 之材质。 8.如请求项5之方法,其中该笼状形式为金刚烷基。 9.如请求项7之方法,其中该SLAM为一以矽氧烷为主 之材质。 10.一种在牺牲光吸收材质中调整乾式蚀刻率之方 法,其包含: 在蚀刻前藉由加入一含氟添加物至该SLAM之组份而 改变该SLAM之组份以提供用于该SLAM之一改变之乾 式蚀刻率,使得该改变之SLAM之该改变之乾式蚀刻 率大约等于一层间介电(ILD)材质之一乾式蚀刻率; 在一由该ILD材质所制造之层中形成一通路开口; 藉由该改变之SLAM来填充该通路开口;且 蚀刻一大约居中于该通路开口之渠沟,其中该ILD材 质与该SLAM以相同之速率蚀刻。 11.如请求项10之方法,其中该ILD材质为一掺杂碳之 氧化物。 12.如请求项10之方法,其中该ILD材质为一基于聚合 物之材质。 13.如请求项10之方法,其中加入一含氟添加物包含 加入一低分子量的聚亚乙烯。 14.如请求项10之方法,其中加入一含氟添加物包含 加入一全氟聚醚。 图式简单说明: 图1为积体电路之局部横截面正视图,其展示一安 置于基础互连层上方之局部制造的互连层。更具 体言之,在图1中,所展示之通路开口填充有SLAM。 图2说明在已局部地蚀刻了渠沟后之图1之结构。 图3说明图2之结构,其中因为SLMA比周围介电材质蚀 刻得慢,所以发生外壳缺陷。 图4说明图2之结构,其中开始由SLAM比周围介电材质 蚀刻得快所导致之渠沟缺陷。 图5说明SLAM之一可能的分子结构。 图6为用于调整SLAM之蚀刻率之方法的综述。 图7说明用于调整基于聚合物之SLAM之蚀刻率的方 法。 图8说明用于调整基于矽氧烷之SLAM之蚀刻率的方 法。 |
