硅－立方氮化硼薄膜的类P－N结电子器件材料及其制作方法

摘要

本发明属硅／立方氮化硼膜的类Ｐ－Ｎ结电子器件材料及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压，六角氮化硼作源加射频功率，氩气作工作气体，在衬底上沉积ｃ－ＢＮ薄膜，二者间形成类Ｐ－Ｎ结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明在形成机理、构成结的晶体形态及制作方法上都不同于传统Ｐ－Ｎ结，但具有传统Ｐ－Ｎ结的电学特性，电容值增大１０＃+[6]倍，由于ｃ－ＢＮ能隙大于６．４＃-[ev]的宽禁带，使类Ｐ－Ｎ结具有耐高温、抗辐射、大功率运转等优良性能。$＃!

主权项

1.一种单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜构成的具有P-N结特性的电子器件材料，其特征在于，由单晶硅作衬底层，在单晶硅上沉积有纳米晶立方氮化硼薄膜，在单晶硅和纳米晶立方氮化硼薄膜间形成类P-N结。