| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板及其制造方法，其能降低用于整个工序的掩模数目，由此降低生产的制造时间和单位成本，该TFT阵列基板包括形成在基板上的栅线、栅极和栅焊盘，其中各栅线、栅极和栅焊盘都由第一金属层和透明导电层的叠层形成；在各栅线之间以分离的图案形成的像素电极；设置有暴露像素电极和栅焊盘的第一和第二开口区域的栅绝缘层；在栅绝缘层上垂直于栅线形成以限定子像素的数据线；从数据线分支出的源极；以距源极预定间隔形成并与像素电极连接的漏极；形成在数据线端部的数据焊盘；和覆盖数据线、源极和漏极的遮蔽层；以及覆盖栅焊盘和数据焊盘的氧化阻止层。 | ||
| 申请公布号 | CN101079429A | 申请公布日期 | 2007.11.28 |
| 申请号 | CN200610160659.9 | 申请日期 | 2006.11.29 |
| 申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 朴容仁;吴载映;韩相哲 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/1368(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：形成在基板上的栅线、栅极和栅极焊盘，其中各栅线、栅极和栅焊盘都由第一金属层和透明导电层的叠层形成；由该透明导电层形成的像素电极；设置有暴露像素电极和栅焊盘的第一开口区域和第二开口区域的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的半导体层；与栅线垂直形成以限定子像素的数据线；从数据线分支出的源极；以距源极预定间隔形成并与像素电极连接的漏极；和形成在数据线端部的数据焊盘；以及覆盖数据线、源极和漏极的遮蔽层；和覆盖栅焊盘和数据焊盘的氧化阻止层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||