| 主权项 |
1.一种制造彩色阴极射线管之方法,该彩色阴极射 线管具含有配置在一内表面之光吸收阵列的一面 板盘(12),该阵列具有许多开孔于其中,该方法包括 以下步骤: 形成一覆于该阵列上之感光器; 建立一实质均匀的静电电荷在该感光器上; 曝露感光器被选择的区域予可见光以影响其上之 电荷,而不影响在该感光器非曝露区域上之电荷, 因此形成一潜伏电像; 藉沉积其上之荷电萤光分子,以显影该潜伏电像在 感光器上; 藉由该阵列开孔以外部地监测荷电萤光分子的沉 积宽度;及 当预定的处理程序参数满足时,产生一控制信号以 终止荷电萤光分子之沉积。2.一种萤光沉积监测 器(PDM)装置,用以监测在一潜伏电像上之荷电萤光 分子沉积,该电像形成在具有许多开孔于其中之光 吸收阵列之上覆的感光器上,该阵列配置在彩色阴 极射线管面板盘之观视面板内表面上,包括 一监测装置,延伸至该观视面板,用以测量由于荷 电萤光分子之沉积,形成在该阵列之开孔内之萤光 线宽度,及 一控制装置,当预定的处理程序参数满足时,回应 该PDM装置之该监测装置,用以产生一控制信号之终 止荷电萤光分子之沉积。3.一种装置,用以沈积且 监测在一潜伏电像上之摩擦生电式荷电萤光分子 沈积,该电像形成在配置于具有许多开孔其中之阵 列的感光器上,该阵列覆于一彩色阴极射线管面板 盘之观视面板内表面上,该装置包括 一萤光显像器,具有含板盘支ix之显像室以支ix该 面板盘,该室提供摩擦生电式荷电萤光分子以显影 该潜伏电像在该感光器上, 一电接点连接至该感光器, 一第一监测装置,包括一静电计经过一电容器连接 至该电接点,藉摩擦生电式荷电萤光分子以测量沉 积在该潜伏电像之电荷量;包含 一第二监测装置,包括一影像装置延伸至该观视面 板之外,一影像处理器与一影像监视器用以显像摩 擦生电式荷电萤光分子沉积在该潜伏电像上,该影 像监视器连接至该影像装置以利显示一测量窗在 该观视面板上;及 当预定的处理程序参数满足时,该第一与该第二监 测装置产生一控制信号以终止摩擦生电式荷电萤 光分子之沉积。4.一种装置,用以沉积且监测在一 潜伏电像上之摩擦生电式荷电萤光分子沉积,该电 像形成在配置于具有许多开孔其中之阵列的感光 器上,该阵列置于一彩色阴极射线管面板盘之观视 面板内表面上,该装置包括 一萤光显像器,具有含板盘支ix之显像室以支ix该 面板盘,该室更包括一用以摩擦生电式充电萤光分 子与在该板盘支ix内开孔之装置,以容许摩擦生电 式荷电萤光分子通过至该潜伏电像于该感光器上, 一电接点连接至该感光器, 第一监测装置,系连接至该电接点,藉摩擦生电式 荷电萤光分子以测量沉积在该潜伏电像之电荷量; 包含 一萤光沉积监测器(PDM)装置,包括一第二监测装置, 延伸至该观视面板之外,用以藉摩擦生电式荷电萤 光分子沉积在该潜伏电像上测量形成之萤幕元件 尺寸;及 控制装置,回应至该第一监测装置及该第二监测装 置,当预定的处理程序参数满足时,用以产生一控 制信号以终止荷电萤光分子之沉积。5.如申请专 利范围第4项之装置,其中第二监测装置包含从该 观视面板外表面间隔之影像装置,用以观视在该观 视面板上之测量窗,及一影像处理器具有连接至该 影装置之影像监视器,用以显示该测量窗。6.如申 请专利范围第5项之装置,其中该影像装置包含一 支ix框架,包括含有一主体部分之支ix框架与二个 相对配置贴附至该主体部分的末端部分,一支ix架 与一马达紧固至该主体部分,一马达转轴从马达延 伸且紧固至具有一对物透镜贴附之一照相机,该马 达移动该照相机与该对物透镜在平行该主体部分 之平面上,藉显像营幕元件于该物透镜之上以对焦 该照相机。7.如申请专利范围第6项之装置,更包括 从该对物透镜间隔之倾斜镜与配置在该倾斜镜与 该萤幕元件间之非刺眼光源。8.如申请专利范围 第7项之装置,其中该非刺眼光源系一同轴光纤光 环,且该镜系倾斜45度。9.如申请专利范围第4项之 装置,其中该控制装置包含在该萤光分子沉积在该 感光器时期制成的一系列周期性萤光线宽度测量, 该系列萤光线宽度测量系与一期望的线宽度値比 较。10.如申请专利范围第4项之装置,其中该控制 装置更包含一线宽对沉积电荷之预定校正値,藉由 该静电计所测量之电荷量,用以调整藉由参考预定 校正値之沉积时间。11.如申请专利范围第4项之装 置,其中该控制装置包含在该影像监视器上之萤光 线宽度之可见测量。图式简单说明: 第一图系如本发明制造之彩色阴极射线管局部轴 向平面图; 第二图系具一阵列在内表面上之面板盘的剖面图; 第三图系示于第一图管之萤幕组合的剖面图; 第四图与第五图系个别显示测量萤光沉积之崭新 萤光沉积监测器(PDM)装置之前视图与上视图; 第六图与第七图系个别显示使用于第四图与第五 图之萤光沉积监测器PDM中影像装置之上视图与侧 视图; 第八图,第九图与第十图系显示磷光显影三个阶段 之萤光线纵剖面图;及 第十一图系显示本发明处理方法步骤之流程图。 |
