| 发明名称 |
DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMICONDUCTEURS NON-VOLATILE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2670951(B1) |
申请公布日期 |
2001.03.09 |
| 申请号 |
FR19910005616 |
申请日期 |
1991.05.07 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
JEONG-HYEOK CHOI;GEON-SU KIM;YUN-SEONG SIN |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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