垂直腔面发射微腔激光器

摘要

本实用新型属于光电子技术领域,是一种垂直腔面发射的激光器。本实用新型的量子阱有源层4的上面是P型半导体分布布拉格反射镜3和金属电极1之间有一P_－⁺欧姆接触层2。金属电极1、P_－⁺欧姆接触层2、量子阱有源层4、P型半导体分布布拉格反射镜3和n型半导体分布布拉格反射镜6的上部构成圆柱形结构。n型半导体分布布拉格反射镜6的下部截面大于圆柱的截面,并在其上制有下金属电极5。n型半导体分布布拉格反射镜6的下面为半导体衬底7。本实用新型具有阀值电流低,光限制好等优点。

主权项

1、一种垂直腔面发射微腔激光器，包括金属电极(1)，下金属电极(5)，量子阱有源层(4)，P+欧姆接触层(2)，P型半导体分布布拉格反射镜(3)，n型半导体分布布拉格反射镜(6)，及半导体衬底(7)，其特征是量子阱有源层(4)的上面是P型半导体分布布拉格反射镜(3)，下面是n型半导体分布布拉格反射镜(6)，在金属电极(1)和P型半导体分布布拉格反射镜(6)上部和量子阱有源层(4)，P型半导体分布布拉格反射镜(3)，P+-欧姆接触层(2)等构成圆柱形结构；在n型半导体分布布拉格反射镜(6)的下部上面有下金属电极(5)。