发明名称 双刀单投开关测试电路结构及对该电路结构测试之方法
摘要 本发明双刀单投开关测试电路结构在每一双刀单投开关之高输入端及低输入端,分别与前一个开关之高输出端及低输出端串接,但第一个开关之高输入端与低输入端与一测量电阻装置串接。另外每一开关之高输出端及低输出端与一测试用电阻并接。搭配上述之电路结构本发明亦揭露一种测试方式,在一般开关皆正常之程序,仅要N+l次,较传统之2N次节省近一半之次数,且测试线路也因而简化,能节省测试平台内之线路。
申请公布号 TW424151 申请公布日期 2001.03.01
申请号 TW088106864 申请日期 1999.04.28
申请人 财团法人资讯工业策进会 发明人 张茂荣;许泰隆
分类号 G01R31/327 主分类号 G01R31/327
代理机构 代理人 吴冠赐 台北巿信义路四段四一五号十三楼之三;廖和信 台北巿信义路四段四一五号十三楼之三
主权项 1.一种双刀单投开关测试电路结构包括:N个双刀单投开关,N为大于二之自然数,其中每一双刀单投开关具有一高输入端,一低输入端,一高输出端,一低输出端,一高闸刀以及一低闸刀,高闸刀及低闸刀具同步开关作用,使得双刀单投开关具有两种状态,一种为『连通』(ON)状态,此时高输入端与高输出端成连通状态且低输入端与低输出端亦成连通状态,另一种为『断路』(OFF),状态,此时高输入端与高输出端成断路状态且低输入端与低输出端亦成断路状态;一测量电阻装置,可测量电阻値:以及N个测试用电阻;其中:第一双刀单投开关之高输入端与低输入端与一测量电阻装置串接;第n双刀单投开关之高输出端与第n+1双刀单投开关之高输入端串接,其中n=1~N-1,其中n値越小的双刀单投开关以串接位置而言越接近测量电阻装置;以及第n双刀单投开关之高输出端以及低输出端与一测试用电阻并接,其中n=1~N。2.如申请专利范围第1项所述之双刀单投开关测试电路结构,其中每一个测试用电阻之电阻値大小相同。3.一种测试如申请专利范围第1项所述之双刀单投开关测试电路结构之方法,系用来测试每一双刀单投开关是否运作正常,其方法包括下列步骤:步骤S1:将所有双刀单投开关设定『断路』(OFF),状态;步骤S2:量测电阻値是否为无限大或接近无限大(a)若是则确知第1开关『断路』(OFF)状态正常,并继续进行步骤S3;(b)若不是则确知第1开关OFF状态不正常,先进行替换不正常之双刀单投开关后再重新测试;步骤S3:将最接近测量电阻装置且仍为『断路』(OFF)状态之双刀单投开关设定『连通』(ON)状态;以及步骤S4:量测电阻値是否正确(a)若是则确知该开关『连通』(ON)状态正常,且当该开关有下一个连接之开关,则下一个连接之开关『断路』(OFF)状态亦正常,并继续进行步骤S3,但若无下一个连接之开关,则完成测试;(b)若不是则确知该开关『连通』(ON)状态不正常,或是该开关下一个连接之开关『断路』(OFF)状态亦不正常,先进行替换不正常之双刀单投开关后再重新测试。4.如申请专利范围第3项所述之方法,系由电脑透过执行电脑程式而达成的。图式简单说明:第一图系测试平台使用时之简易示意图。第二图系本发明关于双刀单投开关测试电路结构。第三图系本发明关于对该电路结构测试之方法。
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