| 主权项 |
1.一种磁控管,包含一圆筒形阳极之具有抽空内部 及谐振腔者,以及一阴极组合同轴地放置在阳极之 内面,该阴极组合包含: 一圆筒形二次电子放射器,它系与此阳极共轴; 一场致电子放射器经提供以一锐利之工作端面; 一对聚焦遮蔽放置在阴极组合之端面,并以其内表 面面向该内部之磁控管腔穴; 其中: 该聚焦遮蔽之至少一个系自此二次电子放射器电 绝缘,以及至少一个场致电子放射器系放置在自此 二次电子放射器电绝缘之聚焦遮蔽之内表面上,并 以该锐利工作端面面向此二次电子放射器。2.依 据申请专利范围第1项之磁控管,其特征在于该两 个聚焦遮蔽系自二次电子放射器电绝缘,而以其内 表面系提供以场致电子放射器。3.依据申请专利 范围第1或2项之磁控管,其特征在于此场致电子放 射器之工作端面系提供以投射。4.依据申请专利 范围第3项之磁控管,其特征在于该二次电子放射 器系提供以缺口以容纳场致电子放射器之该投射 。5.依据申请专利范围第1项之磁控管,其特征在于 放置在场致电子放射器端面之下面之二次电子放 射器,圆筒体之至少一个终端系呈截锥之形态制成 ,而以其倾斜之表面向阳极和阴极之间之真空间隙 。6.依据申请专利范围第2项之磁控管,其特征在于 此场致电子放射器有一展开之侧向表面。7.依据 申请专利范围第2项之磁控管,其特征在于置于一 场致电子放射器端面下面之二次电子放射器区系 敷涂以一薄膜之以杂质材料制成者。8.依据申请 专利范围第7项之磁控管,其特征在于该薄膜系以 选自一组包含金属、合金、半导体及电介质之材 料制造,并有一二次电子放射系数其値较二次电子 放射器之系数之値为大者。图式简单说明: 第一图系一示意性纵向(轴向)剖面,显示依照本发 明之一实施例之一磁控管,其中仅有一个聚焦遮蔽 系自一辅助电子放射器电绝缘; 第二图系一示意性侧向(径向)剖面,显示截取第一 图之直线A-A之磁控管阴极; 第三图系一示意性纵向(轴向)剖面,显示依照本发 明之一实施例之磁控管阴极,其中两者聚焦遮蔽系 自二次电子放射器电绝缘; 第四图系一示意性侧向(径向)剖面,显示截取第一 图之直线A-A之磁控管阴极;其中场致电子放射器系 经在其工作端面上提供以投射; 第五图系一示意性侧向(径向)剖面,显示依照本发 明之实施例之一磁控管阴极,其中仅一个聚焦遮蔽 系自二次电子放射器电绝缘,以及二次电子放射器 圆筒体之一终端系在安装于此一遮蔽上之场致电 子放射器之端面之下面者,系提供以一缺口以容纳 场致电子放射器之投射; 第六图系一示意性侧向(径向)剖面,显示第五图,截 取其直线A-A一段之磁控管之阴极组合; 第七图系一示意性纵向(轴向)剖面,显示依照本发 明之实施例之磁控管阴极,其中,仅一个聚焦遮蔽 系自二次电子放射器电绝缘,以及置于安装在此一 遮蔽上之场致电子放射器之端面下面之二次电子 放射器之圆筒体之一终端,系呈截锥之形态制成, 而以其倾斜之表面面向阳极与阴极之间之一真空 间隙; 第八图系一示意性侧向(径向)剖面,显示沿直线A-A 一截取第七图之磁控管之阴极组合; 第九图系一示意性纵向(轴向)剖面,显示依照本发 明之实施例之磁控管阴极,其中仅有一个聚焦遮蔽 系自二次电子放射器电绝缘,以及置于安装在此一 遮蔽上之场致电子放射器之端面下面之二次电子 放射器圆筒体之一端系敷涂以杂质物质所制成之 薄膜; 第十图系一示意性侧向(径向)剖面,显示截取直线A -A之第九图之磁控管之阴极组合。 |
