发明名称 | 一种IGBT过压保护电路 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种IGBT过压保护电路,包括IGBT、IGBT驱动电路,所述IGBT驱动电路与IGBT基极相连,所述IGBT的额定电流在15安培至30安培范围内,IGBT V<sub>CE</sub>电压监测电路和IGBT V<sub>CE</sub>电压抑制电路;电压监测电路包括比较器和电压采样电阻,比较器的反相输入端经第一电压采样电阻与IGBT的集电极相连,反相输入端还经第二电压采样电阻接地,电压抑制电路包括压敏电阻和可控硅,压敏电阻和可控硅串联于IGBT集电极与发射极之间。相较于现有技术,本实用新型的IGBT保护电路直接对IGBT集电极和发射极两端电压进行监测,对超过限制范围的电压进行吸收,从而防止IGBT过压而被击穿的情况发生,从根本上解决了因浪涌而导致炸机的问题,同时也解决了由于误触发而导致的间歇加热问题。 | ||
申请公布号 | CN201402975Y | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
申请号 | CN200920021503.1 | 申请日期 | 2009.04.22 |
申请人 | 九阳股份有限公司 | 发明人 | 朱泽春;王宁 |
分类号 | H02H9/04(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/04(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 1、一种IGBT过压保护电路,包括IGBT、IGBT驱动电路,所述IGBT驱动电路与IGBT基极相连,其特征在于,所述IGBT的额定电流在15安培至30安培范围内,所述IGBT过压保护电路还包括IGBT VCE电压监测电路和IGBT VCE电压抑制电路;所述电压监测电路包括比较器和电压采样电阻,所述比较器的反相输入端经第一电压采样电阻与IGBT的集电极相连,该反相输入端还经第二电压采样电阻接地,所述电压抑制电路包括压敏电阻和可控硅,所述压敏电阻和可控硅串联于IGBT集电极与发射极之间。 | ||
地址 | 250118山东省济南市槐荫区新沙北路12号 |