发明名称 Thin film deposition apparatus
摘要 본 발명은 원자층 증착법 및 화학적 기상 증착법을 모두 구현할 수 있는 박막증착장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막증착장치는 기판에 대한 증착 공정이 행해지는 공간부가 형성되어 있는 챔버와, 챔버의 공간부에 회전 가능하게 설치되며, 복수의 기판이 안착되는 서셉터와, 서로 다른 N가지 종류의 가스가 각각 공급되는 N개의 가스공급관과 각각 연결되며, 각 가스공급관으로 공급되는 가스의 공급 및 차단을 제어하는 N개의 밸브를 가지며, 서셉터의 상방에 방사형으로 배치되는 복수의 원료가스분사기와, 공급되는 퍼지가스의 공급 및 차단을 제어하는 퍼지밸브가 설치되어 있는 퍼지가스공급관과 연결되며, 원료가스분사기 사이에 배치되는 복수의 퍼지가스분사기와, N개의 밸브 및 퍼지밸브와 전기적으로 연결되며, 화학적 기상 증착법(Chemical vapor deposition : CVD)과, 원자층 증착법(Atomic layer deposition : ALD)과, 원자층 증착법 이후 화학적 기상 증착법으로 박막이 증착되는 방법 중 어느 하나의 방법으로 기판 상에 박막이 증착되도록, N개의 밸브 및 퍼지밸브를 제어하는 제어부를 포함한다.
申请公布号 KR101635085(B1) 申请公布日期 2016.07.01
申请号 KR20090111618 申请日期 2009.11.18
申请人 주식회사 원익아이피에스 发明人 한창희;이기훈;조병철
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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