发明名称 SEMICONDUCTOR DIODE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
摘要 Es wird eine Halbleiteranordnung bzw. ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiteranordnung vorgeschlagen, das eine Verbesserung der Stromtragfähigkeit bei gegebenen Chipabmessungen ermöglicht. Die Halbleiteranordnung umfasst im Inneren des Chips eingebrachte Gräben (10) zur Verringerung der Verlustleistung bzw. zur Verbesserung der Wärmeabfuhr vom Chip.
申请公布号 WO0113434(A1) 申请公布日期 2001.02.22
申请号 WO2000DE02235 申请日期 2000.07.08
申请人 ROBERT BOSCH GMBH;GOEBEL, HERBERT;GOEBEL, VESNA 发明人 GOEBEL, HERBERT;GOEBEL, VESNA
分类号 H01L21/329;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/861 主分类号 H01L21/329
代理机构 代理人
主权项
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