发明名称 |
SEMICONDUCTOR DIODE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
摘要 |
Es wird eine Halbleiteranordnung bzw. ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiteranordnung vorgeschlagen, das eine Verbesserung der Stromtragfähigkeit bei gegebenen Chipabmessungen ermöglicht. Die Halbleiteranordnung umfasst im Inneren des Chips eingebrachte Gräben (10) zur Verringerung der Verlustleistung bzw. zur Verbesserung der Wärmeabfuhr vom Chip.
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申请公布号 |
WO0113434(A1) |
申请公布日期 |
2001.02.22 |
申请号 |
WO2000DE02235 |
申请日期 |
2000.07.08 |
申请人 |
ROBERT BOSCH GMBH;GOEBEL, HERBERT;GOEBEL, VESNA |
发明人 |
GOEBEL, HERBERT;GOEBEL, VESNA |
分类号 |
H01L21/329;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/861 |
主分类号 |
H01L21/329 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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