| 主权项 |
1.一种光二极体,包括:一第一极性区,该第一极性区系为一含有第一型掺质的材料层;一第二极性区,该第二极性区系为一含有第二型掺质的材料层,且位于该第一极性区上,其中该第二极性区窄于该第一极性区,且该第二型掺质的极性与第一型掺质相反;以及一绝缘层,位于该第二极性区的两侧,并覆盖该第一极性区。2.如申请专利范围第1项所述之光二极体,其中该第一型掺质为N+型掺质。3.如申请专利范围第2项所述之光二极体,其中该第二型掺质为P+型掺质。4.如申请专利范围第1项所述之光二极体,其中该第一型掺质为P+型掺质。5.如申请专利范围第4项所述之光二极体,其中该第二型掺质为N+型掺质。6.如申请专利范围第1项所述之光二极体,其中该绝缘层的材质为氧化物。7.一种浅沟渠隔离结构,包括:一T型氧化插塞;一N井区,连接该T型氧化插塞;一P井区,与该N井区相邻,其中该P井区与该N井区共同构成一构渠;一P+型区,位在该N井区上,其中该P+型区为一含P+型掺质的材料层;一N+型区,位在该P井区上,其中该N+型区为一含N+型掺质的材料层;一开口,该开口系由该N+型区与该P+型区所共同构成,其中该开口宽于该沟渠,并位于该沟渠上而完全暴露出该沟渠,且该开口与该沟渠完全被该T型氧化插塞所填满。8.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离结构,其中该P+型掺质的材料层包括含P+型掺质的矽层。9.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离结构,其中该N+型掺质的材料层包括含N+型掺质的矽层。图式简单说明:第一图绘示习知的一种接合面构造;第二图绘示根据本发明,一种光二极体的剖面示意图;第三图A绘示一扩散程序所造成的P-N接合面结构示意图;第三图B绘示根据第三图A,不同曲率的极性区构造,崩溃电压对掺质浓度的关系图;第四图A至第四图E绘示根据本发明,一种浅沟渠隔离结构的制造方法;第五图A至第五图E绘示根据本发明,一种浅沟渠隔离结构的制造方法;第六图A至第六图E绘示根据本发明,一种光二极体的制造方法;以及第七图A至第七图E绘示根据本发明,一种光二极体的制造方法。 |
