| 主权项 |
1.一种光阻剂组成物,其包括:(a)一种使用于化学增幅型光阻剂中且以下式表示的聚合物:其中R1选自包括-H和-CH3,R2选自包括三级-丁基,四氢喃基和1-烷氧乙基,x为1到4之整数,和k/(k+1)为0.5到0.9;及(b)1-15重量%之光酸产生剂(RAG),以聚合物的重量为基准。2.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中聚合物具有,5,000-100,000的重量平均分子量。3.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中R1为-H和R2为三级-丁基。4.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中R1为-CH3,和R2为三级-丁基。5.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中PAG选自包括三芳基盐,二芳基碘盐,磺酸盐和其混合物。6.根据申请专利范围第5项之光阻剂组成物,其中PAG选自包括三苯三氟甲烷磺酸盐,N-羟基丁二醯亚胺三氟甲烷磺酸盐和其混合物。7.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,进一步包括一种有机硷。8.根据申请专利范围第7项之光阻剂组成物,其中有机硷含量为0.01-2.0重量%,以聚合物的重量为基准。9.根据申请专利范围第1项之光阻剂组成物,其中有机硷选自包括三乙基胺,三异丁胺,二乙醇胺,三乙醇胺和其混合物。10.一种光阻剂组成物,其包括:(a)一种聚合物掺合物,其系使用于化学增幅型光阻剂中且具有以下式(I)表示的聚合物:其中R1选自包括-H和-CH3,R2选自包括三级-丁基,四氢喃基和1-烷氧乙基,x为1到4之整数,如k/(k+1)为0.5到0.9;及一种以下式(II)表示的聚合物:其中R3选自包括三级-丁基,四氢喃基,1-烷氧乙基和三级-丁氧羰基,及m/(m+n)为0.5到0.9;和(b)1-15重量%之光酸产生剂(PAG),以聚合物掺合物的重量为基准。11.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,其中聚合物Ⅰ和聚合物Ⅱ分别具有5,000-100,000的重量平均分子量。12.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,聚合物I的含量为10-90重量%,以聚合物掺合物的重量为基准。13.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,其中R1为-H,R2为三级-丁基及R3为1-乙氧乙基。14.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,其中R1为-H,R2为三级-丁基及R3为四氢喃基。15.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,其中R1为-H,R2为三级-丁基及R3为三级-丁氧羰基。16.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,其中R1为-CH3,R2为三级-丁基及R3为乙氧乙基。17.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,其中R1为-CH3,R2为三级-丁基及R3为四氢喃基。18.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,其中R1为-CH3,R2为三级-丁基及R3为三级-丁氧羰基。19.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,PAG选自包括三芳基盐,二芳基碘盐,磺酸酯盐和其混合物。20.根据申请专利范围第19项之光阻剂组成物,其中PAG选自包括三苯三氟甲烷磺酸盐,N-羟基丁二醯亚胺三氟甲烷磺酸盐和其混合物。21.根据申请专利范围第10项之光阻剂组成物,进一步包括一种有机硷。22.根据申请专利范围第21项之光阻剂组成物,其中有机硷的含量为0.01-2.0重量%,以聚合物掺合物的重量为基准。23.根据申请专利范围第21项之光阻剂组成物,其中有机硷选自包括三乙胺,三异丁胺,二乙醇胺,三乙醇胺和其混合物。 |
