| 主权项 |
1.一种SIMOX基板,系一用以于矽单晶体基板注入氧 离子,随后施以热处理,可形成一埋入氧化层与一 表面单晶体矽层者, 而所形成之前述表面单晶体矽层中之贯通位错缺 的密度系小于100个/cm2者。2.一种SIMOX基板,系一用 以于矽单晶体基板注入氧离子后,以100℃/分钟以 上之昇温温度进行急速昇温加热处理,昇温到大于 1000℃且小于矽之融点之温度,随后用以大于1300℃ 且小于矽之融点之温度施以热处理,可形成一表面 单晶体矽层,其中前述所形成之表面单晶体矽层中 之贯通位错缺陷的密度系小于100个/cm2者。3.如申 请专利范围第1项之SIMOX基板,系可经下列程序构建 者,即,用以于矽单晶体基板注入氧离子2.0-6.01017cm -2之混合量后,以500-12000℃/分钟之昇温温度进行急 速昇温加热处理,昇温到大于1000℃且小于矽之融 点之温度,随后用以大于1300℃且小于矽之融点之 温度施以热处理者。4.一种SIMOX基板之制造方法, 系包含有下列程序者,系用以于矽单晶体基板注入 氧离子后,将该基板进行急速昇温加热处理,随后 施以高温热处理者。5.如申请专利范围第4项之 SIMOX基板之制造方法,其中该急速昇温加热处理系 用以100℃/分钟以上之昇温温度进行者,并昇温到 最高到达温度在大于1000℃且小于矽之融点之范围 内,又 前述高温热处理系以大于1300℃且小于矽之融点之 温度进行者。6.如申请专利范围第5项之SIMOX基板 之制造方法,其中该氧离子注入系藉于矽单晶体基 板以氧离子2.0-6.01017cm-2之混合量注入而可进行者 。7.如申请专利范围第5项之SIMOX基板之制造方法, 其中该氧离子注入系用以于基板温度450-700℃而可 进行者。8.如申请专利范围第5项之SIMOX基板之制 造方法,其系于前述急速昇温加热处理后,不使之 降温而继续施行前述高温热处理者。9.如申请专 利范围第5项之SIMOX基板之制造方法,其系于前述急 速昇温加热处理后,一旦使之降温,随即昇温,再施 行前述高温热处理者。 |
