| 发明名称 | 选择性沉积铋基铁电薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本申请叙述一种通过选择性化学气相沉积在衬底上选择性沉积铋基铁电膜的方法。沉积过程的选择性是通过选择衬底－母体的组合得到的,与特定的工艺参数组合,能确保在某些区域的高铋沉积率和在另一些区域的低铋沉积率。 | ||
| 申请公布号 | CN1285007A | 申请公布日期 | 2001.02.21 |
| 申请号 | CN98813774.7 | 申请日期 | 1998.12.16 |
| 申请人 | 西门子公司;先进技术材料公司 | 发明人 | F·欣特迈尔;B·亨德里克斯;J·R·勒德;P·范布斯基尔克;T·H·鲍姆 |
| 分类号 | C23C16/04;C23C16/40;H01L21/3205 | 主分类号 | C23C16/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;谭明胜 |
| 主权项 | 1．一种在具有绝缘和导电表面的衬底部件上选择性化学气相沉积铋基铁电薄膜的方法。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||