| 摘要 |
<p>본 발명은 커패시터의 귀금속 전극을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 귀금속 하부전극을 형성하기 위한 틀인 절연층 홀의 식각시 그 경사가 완전한 수직이 되지 못함에 따라 하부전극의 형상이 위로 갈수록 넓어지는 경사를 개선하기 위한 것이다. 본 발명은 하부전극을 형성하기 위한 절연층 홀에 단차 도포성이 나쁜 물질을 증착하고 홀 바닥에 증착된 경사개선층 물질을 제거하여 하부전극의 틀을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 경사진 홀의 양 측벽에 단차 도포성이 나쁜 물질로 경사개선층을 형성함으로써, 기판 면에 대하여 수직 또는 아래로 갈수록 넓어지는 모양의 하부전극을 형성할 수 있고, 따라서 후속하는 유전체막 및 상부전극의 형성이 용이하게 된다.</p> |
