| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,包含:一高电阻区,紧接一通道区设置,及一源极或汲极区,相邻高电阻区,其中源极或汲极区内包含一高浓度金属元素以加速矽结晶,及其中高电阻区包含低浓度之金属元素。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中源极及汲极区掺磷。3.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中源极及汲极区掺磷,所掺磷源极或汲极区大于金属元素。4.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中源极或汲极区为P型导电性,且源极及汲极掺磷。5.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中Ni作为金属元素。6.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中金属元素为选自Fe,Co,Ni,Rn,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu及Au构成之群选一或数元素。7.一种半导体装置,包含:一通道区,位于薄膜电晶体中;一高电阻区,位于薄膜电晶体中,并紧接通道区;及一源极或汲极区,位于薄膜电晶体中,并相邻高电阻区,其中源极或汲极区内包含浓度之金属元素以加速矽结晶,及其中高电阻区包含低浓度之金属元素。8.一种薄膜电晶体,包含:一高电阻区,相邻通道区,及一源极或汲极区,相邻高电阻区,其中源极或汲极区内包含加速矽结晶之金属元素浓度大于或等于11019原子每立方公分,及通道区与高电阻区内所含金属元素之浓度小于或等于11017原子/cm3。9.如申请专利范围第8项之薄膜电晶体,其中源极或汲极区掺磷。10.如申请专利范围第8项之薄膜电晶体,其中源极或汲极区掺磷,掺磷浓度大于金属元素。11.如申请专利范围第8项之薄膜电晶体,其中源极或汲极区为P型导电性,源极与汲极区掺磷。12.如申请专利范围第8项之薄膜电晶体,其中以Ni为金属元素。13.如申请专利范围第8项之薄膜电晶体,其中金属元素为Fe,Co,Ni,Rn,Rh,Pd,Os,IR,Pt,Cu及Au构成之群选一或数元素。14.一种半导体装置,包含:一通道区,位于薄膜电晶体中;一高电阻区,位于薄膜电晶体中与通道区相邻,及一源极或汲极区,位于薄膜电晶体中与高电阻区相邻,其中源极或汲极区内含加速矽结晶之金属元素浓度大于或等于11019原子/cm3,及金属元素包含于通道区及高电阻区中浓度小于或等于11017原子/cm3。15.一种薄膜电晶体,包含:一高电阻区,靠近通道区,及一源极或汲极区,靠近高电阻区,其中源极或汲极区包含供加速矽结晶之金属元素浓度大于或等于区中瑕疵密度,及通道区及高电阻区中所含金属元素浓度小于或等于其内瑕疵密度。图式简单说明:第一图A至第一图E显示TFT制造程序。第二图A至第二图D显示TFT制造程序。第三图显示Ni浓度分布及TFT主动层中磷浓度分布。第四图A至第四图E显示TFT制造程序。第五图A至第五图D显示TFT制造程序。第六图A显示TFT制造程序。第七图A至第七图D显示TFT制造程序。第八图A至第八图D显示TFT制造程序。第九图A至第九图D显示TFT制造程序。第十图A至第十图D显示TFT制造程序。第十一图A至第十一图F显示一些半导体装置例。第十二图A为一TFT结构截面图,而第十二图B为TFT主动层中Ni浓度分布。 |
