| 发明名称 |
Halbleiterbauelement mit Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode und dessen Herstellungsverfahren |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69517140(T2) |
申请公布日期 |
2001.02.01 |
| 申请号 |
DE19956017140T |
申请日期 |
1995.12.06 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
WATABE, KIYOTO |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L27/06;H01L29/08;H01L29/732;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/739 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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