| 发明名称 | 金属低温渗入的装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在金属基体表面低温下渗入金属离子的装置,它包括气体通入和气体控制部分、真空系统与真空室相通、电弧蒸发源靶、触发引弧结构均安置在真空室内上部真空室内下部设有一放置工件的转动机构带动的具有公转和自转的支架,直流电源的阴极与靶相连接,阳极与真空腔连接接地;其特征在于:还包括一高压直流脉冲电源,高压真流脉冲电源连接在工件阴极和真空腔之间,可调节孔径大小的挡板安置在电弧蒸发源的前端。 | ||
| 申请公布号 | CN1281058A | 申请公布日期 | 2001.01.24 |
| 申请号 | CN99121641.5 | 申请日期 | 1999.10.11 |
| 申请人 | 中国科学院力学研究所 | 发明人 | 李成明;张勇;曹尔妍;薛明伦 |
| 分类号 | C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 高存秀 |
| 主权项 | 1、一种金属低温渗入的装置，包括：气体通入和气体控制部分、真空系统与真空室相通、电弧蒸发源靶与触发引弧结构均安置在真空室内上部；真空室内下部设有一放置工件的转动机构带动的具有公转和自转的支架，直流电源的阴极与靶相连接，阳极与真空腔连接接地；其特征在于：还包括一高压直流脉冲电源，高压直流脉冲电源串接工件和真空腔之间；可调节孔径大小的挡板安置在它电弧蒸发源的前端。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村路15号 | ||