发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括;一半导体晶片;一密封半导体晶片之树脂封装体;信号通路,系将半导体晶片之信号端子从树脂封装体向外引导;一接地金属膜,其系与半导体晶片之底部表面呈接触状态;以及一接地通路,系被连接至接地金属膜并从树脂封装体向外引导。
申请公布号 TW418514 申请公布日期 2001.01.11
申请号 TW088111005 申请日期 1999.06.29
申请人 富士通股份有限公司 发明人 大山展生;牧真一郎;藤崎文利;藏本俊一;西乡幸生;八田康雄;江洋一
分类号 H01L23/50;C23C14/14;H01L21/56;H01L21/60 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种半导体装置,系包含: 一半导体晶片; 一树脂封装体,系将该半导体晶片密封; 信号通路,其系将该半导体晶片之信号端子从该树 脂封装体向外引导; 一接地金属膜,系与该半导体晶片之底部表面呈接 触装熊;以及 一接地通路,系被连接至该接地金属膜并从该树脂 封装体向外引导。2.如申请专利范围第1项之半导 体装置,其中该接地金属膜之一表面,其系相对于 与半导体晶片之底部表面接触之该接金属膜之一 表面,被从该树脂封装体暴露出来藉此形成该接地 通路。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 该接地金属膜藉由一导电线或一导电膜而被连接 至一被暴露在该树脂封装体外部之端子上,藉此形 成该接地通路。4.如申请专利范围第1项之半导体 装置,其中: 该树脂封装体具有复数个被以金属膜覆盖在一安 装表面上之安装突起部;以及 覆盖该安装突起部之该等金属膜藉由导电线被连 接至该半导体晶片之该等信号端子上,藉此形成该 等信号通路。5.如申请专利范围第4项之半导体装 置,其中该等金属膜被设置在该等凹处之内部表面 上,并被设置在该等凹处之邻近区块中之平坦区域 上。6.如申请专利范围第4或5项之半导体装置,其 中 该树脂封装体在一个被该安装表面上之该等安装 突起部围绕之区块中被设置有一个接地突起部;以 及 与该半导体晶片之该底部表面接触之该等接地金 属膜穿过该接地突起部被暴露在该树脂封装体之 外部。7.一种制造半导体元件之方法,其中一半导 体晶片被密封在一树脂封装体中,该树脂封装体系 于其一安装表面上具有复数个安装突起部,使得该 半导体晶片之信号端子被从该等安装突起部向外 引导, 该方法系包含下列步骤: 将金属膜连结至相对于该等安装突起部之凹处的 内部表面上,并连结至一被形成在一基底中该等凹 处围绕之半导体晶片安装表面上; 经由一导电胶黏剂而将该半导体晶片安装至被该 等凹处围绕之该金属膜上; 藉由导电线而将半导体晶片之该等信号端子电气 地连接该等凹处之该等内部表面上的该等金属膜 上; 以树脂密封该半导体晶片与该等导电线;以及 将该基底从在该等凹处之该等内部表面与该半导 体晶片安装表面上之金属膜上取下。8.如申请专 利范围第7项之方法,其中 一用以安装该半导体晶片之凹处预先在该基底中 被形成; 当该等金属膜被连结至相对于该等安装突起部之 该等凹处的该等内部表面上时,一金属膜被连结至 该等凹处之一内部表面上以安装该半导体晶片;以 及 该半导体晶片被安装置在该凹处之该内部表面上 的该金属膜上,以经由导电胶黏剂来安装该半导体 晶片。9.如申请专利范围第7或8项之方法,其中: 第一金属被连结至相对于该等安装突起部之该等 凹处的该等内部表面上,而一第一罩幕暴露该等凹 处;以及 第二金属膜被连接至相对于该等安装突起部之该 导凹处的该等内部表面上,而一第二罩幕暴露该等 凹处以及在该等凹处之邻近区块中的平坦区域。 图式简单说明: 第一图A与第一图B是本发明第一实施例之半导体 装置之截面图与底视图; 第二图A至第二图H是例示本发明第一实施例之生 产程序的截面图; 第三图是本发明第一实施例之经安排的半导体装 置之截面图; 第四图A与第四图B是本发明第二实施例之截面图 与透视图; 第五图A至第五图H是例示本发明第二实施例之生 产程序的截面图; 第六图是本发明第二实施例之半导体装置的部分 放大图; 第七图A至第七图B是本发明第三实施例之半导体 装置之截面图与透视图; 第八图A与第八图B是本发明第四实施例之半导体 装置之截面图与透视图; 第九图A与第九图B是本发明第五实施例之半导体 装置之截面图与透视图; 第十图A与第十图B是本发明第六实施例之半导体 装置之截面图与透视图; 第十一图A与第十一图B是习知技艺之半导体装置 之截面图与透视图;以及 第十二图是显示于习知技艺中的问题之示意截面 图。
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