| 摘要 |
<p>An den Flanken einer Gate-Elektrode (2) werden Oxidspacer (5) hergestellt, die so unterhalb der Oberseite der Gate-Elektrode enden, daß ein Anteil (11) der Flanke nicht bedeckt wird. Eine Nitridschicht wird abgeschieden und rückgeätzt, so daß weitere Spacer (8) aus Nitrid bleiben, die diese oberen Anteile (11) der Flanken der Gate-Elektrode bedecken. Damit wird eine ausreichende Blockierwirkung zur Vermeidung von Silizidbrücken zwischen Gate und Source bzw. Drain bewirkt.</p> |
