| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entwurf rauscharmer integrierter Verstärkerschaltungen mit einer Eingangsstufe, die einen Bipolartransistor (T1) in Emitterschaltung oder einen Feldeffekttransistor in Sourceschaltung aufweist, bei dem eine Rauschanpassung der Verstärkerschaltung (1) an den Realteil einer vorgegebenen Ausgangsimpedanz (ZA) eines der Verstärkerschaltung (1) vorgeschalteten Übertragungsglieds (3) dadurch vorgenommen wird, dass durch die geeignete Wahl von Prozessparametern bei der Herstellung der integrierten Verstärkerschaltung (1) und/oder durch die geeignete Wahl von Geometrieparametern (rb) eines oder mehrerer der integrierten Bauelemente und/oder die Dimensionierung der Bauelementewerte der integrierten Verstärkerschaltung (1) die von einem reellen Generatorwiderstand (RG) abhängige Rauschzahl (F(RG)) der Verstärkerschaltung in einem solchen Bereich kleiner ist als eine vorgegebene Rauschzahl (Fsoll), in dem auch der Wert des Realteils der vorgegebenen Ausgangsimpedanz (ZA) liegt. Die erforderliche Leistungsanpassung der Eingangsimpedanz (ZE) der Verstärkerschaltung (1) an die vorgegebene Ausgangsimpedanz (ZA) wird dadurch vorgenommen, dass die am Kollektor des Transistors (T1) wirksame Last (ZL) so gewählt wird, dass sich eine komplexe Spannungsverstärkung ergibt, die infolge des Miller-Effekts eine Eingangsimpedanz (ZE) erzeugt, die gleich der konjugiert komplexen vorgegebenen Ausgangsimpedanz (ZA) ist.</p> |
