| 摘要 |
<p>L'invention concerne un élément lumineux et/ou électronique, dans lequel on mène à bien une opération qui consiste à utiliser la dégénerescence de densité d'état induite par le confinement d'électrons dans une zone possédant une auto-similarité fractale. Dans un élément luminescent AlGaAs/GaAs, une couche active est construite, de sorte que les points quantiques GaAs soient disposés sous une forme fractale et soient confinés par des AlGaAs de type i. Un état électronique de ce réseau de points quantiques présente une dégénérescence de densité d'état. L'addition d'impuretés magnétiques sur une zone possédant une auto-similarité permet l'application d'un champ magnétique aléatoire, le développement de chaos quantiques importants et l'induction d'une dégénérescence de densité d'état.</p> |
