| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一个半导体器件的制造方法，特别是形成场区隔离的一种方法，场氧化膜周围的有源区的一部分用与象沟道截断杂质离子一样的杂质重掺杂的，所以，它把由场氧化的高温产生的低杂质沟道截断区转变成高杂质沟道截断区，以防止器件使用时出现场区反型。 | ||
| 申请公布号 | CN1060587C | 申请公布日期 | 2001.01.10 |
| 申请号 | CN96107230.X | 申请日期 | 1996.04.11 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 李昶权 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 萧掬昌;王岳 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件的制造方法，此方法包括下列步骤：在晶片上形成一个抗氧化膜；蚀刻所说抗氧化膜的一部分形成一个场区；在所说场区注入沟道截断杂质离子，形成一个沟道截断区；在所说场区形成一个场氧化膜；去掉所说抗氧化膜；和注入与所说沟道截断杂质离子同型的杂质离子而在所说沟道截断区的两侧端形成一个杂质区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||