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发明名称 Narrow-channel effect free transistor and method of formation thereof
摘要
申请公布号 GB2339631(B) 申请公布日期 2001.01.03
申请号 GB19990013674 申请日期 1999.06.11
申请人 * SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KI-NAM * KIM;JAI-HOON * SIM;JAE-GYU * LEE
分类号 H01L21/76;H01L21/28;H01L21/762;H01L21/765;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/765 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
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