| 主权项 |
1.一种熔断器电路,包含:一可熔断联结,其具有第一及第二端;第一及第二反相器,每一反相器具有一输入端连接至该第二端,该第一反相器具有一第一输出端,该第二反相器具有一第二输出端,该第一及第二输出端每一具有一第一及一第二逻辑位准;一第一开关,其连接于一接地轨与该第一端之间,该第一开关具有一控制端连接以接收该第一输出端、并且当该第一输出端系位于该第一逻辑位准时、该第一开关具有一导通状态;以及一第二开关,其连接于一电源轨与该第二端之间,该第二开关具有一控制端连接以接收该第二输出端、并且当该第二输出端系位于该第二逻辑位准时、该第二开关具有一导通状态。2.如申请专利范围第1项之熔断器电路,其又包括一第一电容器,该第一电容器连接于该电源轨与该第一开关的该控制端之间,以及一第二电容器,该第二电容器连接于该接地轨与该第二开关的该控制端之间。3.如申请专利范围第1项之熔断器电路其中该第一开关系为一P通道电晶体,而该第二开关系为一N通道电晶体。4.如申请专利范围第1项之熔断器电路,其中该第一反相器包括一N通道电晶体和一P通道电晶体的串联连接,一N通道电晶体具有一W/L比小于该P通道电晶体的W/L比。5.如申请专利范围第4项之熔断器电路,其中该第二反相器包括一N通道电晶体和至少一P通道电晶体的串联连接,该N通道电晶体具有一W/L比大于该至少一P通道电晶体的W/L比。6.一种熔断器电路,包含:一电源端,用以连接至一电源供应器;一接地端,用以连接至一接地电位;一第一导通形式的第一电晶体,其具有第一、第二及闸极端,该第一端连接至该电源端;一熔断器元件,具有第一及第二端,该第一端连接至该第一电晶体的该第二端;一第二导通形式的第二电晶体,其具有第一、第二及间极端,该第二端连接至该熔断器元件的该第一端,该第一端连接至该接地端;一反相器,其具有一输入端连接至该熔断器元件的该第一端,及一输出端连接至该第二电晶体的该闸极端;第三及第四串联连接的电晶体,每一电晶体为该第一导通形式,并具有第一、第二及闸极端,该第三及第四电晶体连接于该电源端与该第一电晶体的该闸极端,该第三及第四电晶体的该闸极端连接至该熔断器元件的该第一端;以及一第二导通形式的第五电晶体,其具有第一、第二及闸极端,该第二端连接于该熔断器元件的该第一端与该接地端之间。7.如申请专利范围第6项之熔断器电路,其中该反相器包括一P通道电晶体和一N通道电晶体,该P通道电晶体具有一W/L比大于该N通道电晶体的W/L比。8.如申请专利范围第7项之熔断器电路,其又包括一电容器连接于该电源端与该第二电晶体的该闸极端之间。9.如申请专利范围第6项之熔断器电路,其中该第三及第四电晶体每一具有一W/L比小于该第五电晶体的W/L比。10.如申请专利范围第9项之熔断器电路,其又包括一电容器连接于该第一电晶体的闸极端与该接地端之间。图式简单说明:第一图显示本发明之较佳具体例。 |
