| 主权项 |
1.一种脊状导波管半导体雷射之自我对准制造方法,包括步骤:循序成长与堆积一第一披覆层与波导层、一活性层、一第二波导与披覆层以及一顶盖氧化层于一半导体基底上;形成一第一介电层于该顶盖层上方,并且图案化该第一介电层,形成一通道罩幕;形成一双通道结构与一脊状结构,之后并去除该第一介电层;形成一第二介电层于该基底上,并且覆盖该双通道结构与该脊状结构;依序上一第一光阻与一第二光阻于该第二介电层上方,其中该第一与该第二光阻对光的灵敏度并不相同;曝光显影该第二光阻,用以形成一窗孔于该脊状结构的上方,并且使部分该第一光阻裸露于该窗孔中,并且藉由该第一与该第二光阻对光的灵敏度不相同使得该第一光阻并没有被曝光显影;去除该第一光阻,并且在该脊状结构上之该第二介电层裸露出来后,停止去除该第一光阻;去除该脊状结构上裸露出之该第二介电层,使下方的该顶盖层露出,之后去除该第一与该第二光阻;形成一第一金属层于该基底上方,并且覆盖于整个该第二介电层与该脊状结构上露出之该顶盖层,做为电极之用;形成一第二金属层于该基底下方,做为电极之用。2.如申请如申请专利范围第1项所述之方法,其中该半导体基底系N型基底。3.如申请如申请专利范围第1项所述之方法,其中该顶盖层系P型半导体。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层与该第二介电层的材料系氮化矽(SiNx)。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层与该第二介电层系以电浆加强式化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,简称PECVD)法形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层的厚度系2500A。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层系以缓冲氧化蚀刻液去除。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该双通道结构系以活性离子蚀刻(RIE)法蚀刻而成,并蚀刻至一预定的深度。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一光阻系ODUR1013光阻,而该第二光阻系AZ5214E光阻。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该第二光阻系以波长大于300nm之光来曝光显影。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一光阻系AZ5214E光阻,而该第二光阻系ODUR1013光阻。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该第二光阻系以波长小于300nm之光来曝光显影。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一光阻系以活性离子蚀刻(RIE)法来蚀刻,使底下该脊状结构上之该第二介电层暴露出。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一光阻与该第二光阻系以超音波震荡器去除。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一与该第二金属层系以蒸镀法沉积而成。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一层金属系P型金属之钛/铂/金(Ti/Pt/Au)层。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该钛/铂/金层的厚度系100A/2000A/2000A。18.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二层金属系N型金属之一锗化金/镍/金(AuGe/Ni/Au)层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该锗化金/镍/金层的厚度系500A/200A/3500A。20.一种脊状导波管半导体雷射之自我对准制造方法,包括步骤:循序成长与堆积一第一披覆层、一第一波导层、一活性层、一第二波导层、一第二披覆层以及一顶盖氧化层于一半导导基底;形成一第一介电层于该顶盖层上方,并图案化该第一介电层,用以形成一通道罩幕于该顶盖层两侧;形成一第一金属层于该通道罩幕之间,并且与该顶盖层欧姆接触;形成一双通道结构与一脊状结构,之后去除该第一介电层;形成一第二介电层于该半导体基底上,并且覆盖该双通道结构与该脊状结构;依序上一第一光阻与一第二光阻于该第二介电层上方,其中该第一与该第二光阻对光的灵敏度并不相同;曝光显影该第二光阻,用以形成一窗孔于该脊状结构的上方,并且使部分该第一光阻裸露于该窗孔中,并且藉由该第一与该第二光阻对光的灵敏度不相同使得该第一光阻并没有被曝光显影;去除该第一光阻,并且在该脊状结构上之该第二介电层裸露出来后,停止去除该第一光阻;去除该脊状结构上裸露出之该第二介电层,使下方的该第一金属层露出,之后并且去除该第一与该第二光阻;以及形成一第二金属层于该基底下方,做为电极之用。21.如申请如申请专利范围第20项所述之方法,其中该半导体基底系N型基底。22.如申请如申请专利范围第20项所述之方法,其中该顶盖层系P型半导体。23.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第一介电层与该第二介电层的材料系氮化矽(SiNx)。24.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第一介电层与该第二介电层系以电浆加强式化学气相沉积法形成。25.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第一介电层的厚度系2500A。26.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第一介电层系以缓冲氧化蚀刻液去除。27.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该双通道结构系以活性离子蚀刻(RIE)法蚀刻而成,并蚀刻至一预定的深度。28.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第一光阻系ODUR1013光阻,而该第二光阻系AZ5214E光阻。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该第二光阻系以波长大于300nm之光来曝光显影。30.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第一光阻系AZ5214E光阻,而该第二光阻系ODUR1013光阻。31.如申请专利范围第30项所述之方法,其中该第二光阻系以波长小于300nm之光来曝光显影。32.如申请专利范围第30项所述之方法,其中该第一光阻系以活性离子蚀刻(RIE)法来蚀刻,使底下该脊状结构上之该第二介电层暴露出。33.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第一光阻与该第二光阻系以超音波震荡器去除。34.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第一与该第二金属层系以蒸镀法沉积而成。35.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该第二层金属系N型金属之一锗化金/镍/金(AuGe/Ni/Au)层。36.如申请专利范围第35项所述之方法,其中该锗化金/镍/金层的厚度系500A/200A/3500A。图式简单说明:第一图A绘示一般之脊状波导雷射二极体之结构剖面图;第一图B绘示一般之双通道结构之脊状波导雷射二极体之结构剖面图;第二图绘示光阻在曝光显影时光阻厚度与曝光时间的特性曲线图;第三图绘示另一种光阻在曝光显影时光阻厚度与曝光时间的特性曲线图;第四图A到第四图O绘示依照本发明之一较佳实施例的制造方法的步骤流程图;第五图A系一照片用以显示第四图J之去除第二光阻的实际情形;第五图B系一照片用以显示第四图M之去除第一与第二光阻后顶盖层露出的实际情形;以及第六图A到第六图P绘示依照本发明之另一较佳实施例的制造方法的步骤流程图。 |
