发明名称 磁性流体薄膜显示器、单色光开关与可调波长滤波器
摘要 本发明揭露合成具有在外加磁场下产生有序的一度空间结构和二度空间晶格的同质性磁性流体成份的方法。此成份由一改良的共沉法合成,共沉法过程的步骤经调整以减少样品的异质性。这一同质性磁性流体成份由披覆界面活性剂之磁铁矿微粒分散于连续相态的液体而成。此成份具有产生有序结构的能力,可经由将一磁铁靠近此成份所制薄膜的附近同时观察薄膜在磁铁附近的范围产生色彩来检验。控制此成份形成有序结构的特性间距的方法亦被揭露。相关的控制参数包括:薄膜厚度、外加磁场的方向和强度、磁场强度的改变率、分散于液体中磁性微粒的体积比率和同质性磁性流体的温度。此同质性磁性流体成份可被用来制造液晶装置,而这些装置是取此材料的特性间距为在可见光波长左右的事实之优点。利用有序结构,在可控制及可预测的情况下来绕射、折射和偏极化光波,因此多种的磁光装置可被建造,这些装置包括彩色显示器、单色光开关和可调式波长滤波器。
申请公布号 TW416157 申请公布日期 2000.12.21
申请号 TW087104140 申请日期 1998.03.20
申请人 洪姮娥;洪振义 新竹巿东区民享一街十巷二十五号;杨维邦 台北巿松山区南京东路三段二五六巷四十九号;杨鸿昌 台北市中山区大直街五十七巷三十一号四楼 发明人 洪姮娥;洪振义;杨维邦;杨鸿昌
分类号 H01L49/00 主分类号 H01L49/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种磁光装置;包含:(a)一片基本上由被界面活性剂披覆的磁性微粒及其所分散之一连续相态液体所组成的磁性流体成份的薄膜,此处,液体里的磁性微粒具有产生可以绕射光波的有序结构的能力;(b)产生能诱发有序结构的磁场之形成的机制;和(c)控制有序结构中元素间隔的机制。2.如申请专利范围第1项所述的装置,此处,磁性微粒是磁铁矿(Fe3O4)微粒、界面活性剂是油酸(oleic acid)和液基是煤油(kerosene)。3.如申请专利范围第1项所述的装置,此处,有序结构是六角型形阵列。4.如申请专利范围第1项所述的装置,此处,此装置包含一用来改变磁场强度的控制机制。5.如申请专利范围第1项所述的装置,此处,此装置包含一用来改变磁场强度的改变率的控制机制。6.如申请专利范围第1项所述的装置,此处,此装置包含一用来改变磁场方向相对于薄膜平面的控制机制。7.如申请专利范围第1项所述的装置,此处,此装置包含一用来改变磁性流体温度的控制机制。8.如申请专利范围第1项所述的装置,此处,此装置包含一用来改变磁性流体薄膜厚度的控制机制。9.一种单色光绕射开关,包含如申请专利范围第1项所述的装置和一单色光源,此处,薄膜的透光率由调整有序结构的间隔的机制来控制。10.一个图素元素,包含三个在如申请专利范围第9项所述的单色光开关。此处,第一个开关的单色光颜色为红色、第二个开关的单色光颜色为绿色,而第三个开关的单色光颜色为蓝色。11.一个光绕射彩色显示器,包含一个在如申请专利范围第10项所述的图素元素的二度空间阵列。12.如申请专利范围第1项所述的装置,此处,有序结构是一能对光产生折射的一度空间微粒链的周期性阵列。13.如申请专利范围第1项所述的装置,此处,此装置包含一用来改变磁性流体中体积比率的控制机制。14.如申请专利范围第12项所述的装置,进一步包括紧邻薄膜一面的第一片偏极片和紧邻薄膜另外一面的第二片偏极片,此处,第一片和第二片偏极片的极轴相互垂直,而且磁场方向平行于薄膜平面且与每片偏极片的极轴成45。15.如申请专利范围第3项所述的装置,进一步包括一与薄膜法线成角度的入射白色平行光束的光源,此处,角度可被选择以使得透过薄膜且与薄膜法线成'角度的光基本上是单一颜色的,而且此一透过的光的颜色可经由改变六角形阵列的元素间的距离来改变。16.一种光绕射颜色显示器,包含多个如申请专利范围第15项所述的装置,此处,一多色彩的影像可经由个别地控制透过每个如申请专利范围第15项所述的装置的光的颜色来产生。17.如申请专利范围第12项所述的装置,进一步包括一与薄膜法线成角度的入射白色平行光束的光源,此处,角度被选择以使得透过薄膜且与薄膜法线成一'角度的光基本上是单一颜色的,而且此一透过的光的颜色可经由改变微粒链间的距离来改变。18.一种光绕射颜色显示器,包含多个如申请专利范围第17项所述的装置,此处,一多色彩的影像可经由个别地控制透过每个如申请专利范围第17项所述的装置的光的颜色来产生。图式简单说明:第一图为合成同质性磁性流体具有在外加磁场下形成有序的一度空间结构或二度空间晶格之步骤流程图。第二图显示一套用来测量在外加磁场之下磁性流体薄膜性质的设备图。第三图显示同质性磁性流体薄膜在外加而垂直于薄膜平面的磁场下所形成之二度空间的六角形晶格的阵列;而由磁性微粒聚集而成之圆柱体则位于六角形晶格的顶点。第四图显示不同厚度的薄膜在一个垂直磁场(100Oe)下所形成之二度空间的六角形晶格的阵列。第五图显示在二度空间的六角形晶格的阵列中微粒圆柱体间的距离与磁场强度和薄膜厚度的关系。第六图显示在二度空间的六角形晶格的阵列中微粒圆柱体间的距离与磁场强度和磁场强度增率的关系。第七图显示在二度空间的六角形晶格的阵列中微粒圆柱体间的距离与磁场强度和磁性流体中磁性微粒浓度的关系。第八图显示同质性磁性流体薄膜在一个外加而且平行于薄膜平面的磁场下所形成之周期性的微粒链间距与磁场强度的关系。第九图显示同质性磁性流体薄膜在一个外加而且平行于薄膜平面的磁场下所形成之周期性的微粒链间距为薄膜厚度的函数。第十图显示一套用来示范磁性流体薄膜中有序结构所产生的光绕射和双折射现象的设备图。第十一图显示经由一磁光的装置所产生的颜色光谱;其中同质性磁性流体薄膜的厚度变化大约从2到10微米(m)、H=150Oe、dH/dt=500Oe/s。第十二图显示当外加磁场强度改变时经由一包含同质性磁性流体薄膜的磁光装置所产生不同颜色的色彩。第十三图图式说明第一类型的光绕射彩色显示元件的同质性磁性流体薄膜的剖面图。第十四图图式说明一个别的图素成分的设计:包含一个同质性磁性流体薄膜、一种产生磁场的方法和控制磁场强度的方法。第十五图图式说明一种同质性磁性流体薄膜的双折射彩色显示元件剖面图。
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