发明名称 控制研磨物均匀度的装置
摘要 一种控制研磨物均匀度的装置,系利用一气囊控制器控制一气囊内之复数圈气管之排气与充气动作,用以吸起一待磨物及控制该待磨物于研磨时不同区域所受之压力。
申请公布号 TW416359 申请公布日期 2000.12.21
申请号 TW087219801 申请日期 1998.11.27
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈学忠;吴俊元;卢火铁
分类号 B24B7/20;H01L21/304 主分类号 B24B7/20
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种控制研磨物均匀度的装置,用以使一待磨物 达到平坦化的目的,该装置包括: 一气囊,具有复数圈气管;以及 一气囊控制器,耦接至该些气管,选择性地控制该 些气管之排气与充气动作,用以吸起该待 磨物及控制该待磨物于研磨时不同区域所受之压 力。2.如申请专利范围第1项所述之控制研磨物均 匀度的装置,其中该复数圈气管的排列包括以 不同半径大小之方式,在该气囊内成环形分布排列 。3.如申请专利范围第1项所述之控制研磨物均匀 度的装置,其中该待磨物包括半导体晶片。4.如申 请专利范围第1项所述之控制研磨物均匀度的装置 ,其中该气囊控制器包括一抽气装 置,耦接至该些气管,用以对该气囊内之该些气管 进行排气动作。5.如申请专利范围第4项所述之控 制研磨物均匀度的装置,其中该气囊控制器更包括 一多通 路选择装置,一端耦接至该抽气装置,另一端耦接 至该些气管,用以控制该抽气装置对该些 气管的排气动作。6.如申请专利范围第1项所述之 控制研磨物均匀度的装置,其中该气囊控制器包括 一充气装 置,耦接至该些气管,用以对该气囊内之该些气管 进行充气动作。7.如申请专利范围第6项所述之控 制研磨物均匀度的装置,其中该气囊控制器更包括 一多通 路选择装置,一端耦接至该充气装置,另一端耦接 至该些气管,用以控制该充气装置对该些 气管的充气动作。8.如申请专利范围第1项所述之 控制研磨物均匀度的装置,其中该气囊控制器包括 一抽气装 置与一充气装置,耦接至该些气管,用以对该气囊 内之该些气管进行排气与充气动作。9.如申请专 利范围第8项所述之控制研磨物均匀度的装置,其 中该气囊控制器更包括一多通 路选择装置,一端耦接至该抽气装置与充气装置, 另一端耦接至该些气管,用以控制该抽气 装置与该充气装置对该些气管的排气与充气动作 。图式简单说明: 第一图系绘示依据本创作之一较佳实施例之一种 气囊式背垫的浮动式研磨头之装置剖面 示意图。
地址 新竹科学工业园区新竹巿力行二路三号