| 主权项 |
1.一种高频用介电质组成物,其特征为,对根据Srx(Ni 1/3Nb2/3)yO3(但是,x/y=0.96- 1.06)而成的陶瓷成份添加0.1-50重量%之玻璃者。2. 如申请专利范围第1项述的高频用介电质组成物, 其中,系为在氮环境中烧成之介电质组 成物。3.如申请专利范围第1项所述的高频用介电 质组成物,其中,系为在大气中烧成之介电质组 成物,陶瓷成份的x/y比为0.96-1.01。4.如申请专利范 围第1项所述的高频用介电质组成物,其中,前述玻 璃系以 MgO-BaO-B2O3-SiO2做为主要成份,把该玻璃对前述陶瓷 成份添加1-40重量%。5.如申请专利范围第4项所述 的高频用介电质组成物,其中前述玻璃,系包含MgO: 20-50重 量%,BaO:5-25重量%,B2O3:15-30重量%及SiO2:10-25重量%之MgO -BaO-B2O3-SiO2系 玻璃,把该玻璃对前述陶瓷成份添加2-30重量%者。6 .一种高频用介电质组成物,主要系,由做为主要成 份的Srx(Ni1/3Nb2/3)y O3(但是, x/y=0.96-1.06),和从TiO2,SrTiO3及CaTiO3而成之群选择的1 种或2种以上副成份而成之 陶瓷成份,其特征为,对陶瓷成份中的TiO2比例为25 克分子%以下,SrTiO3的比例为6.5克分 子%以下,CaTiO3之比例为13.3克分子%以下的陶瓷成份 ,添加0.1-50重量%之玻璃而成。7.如申请专利范围第 6项所述的高频用介电质组成物,其中,该玻璃系以 MgO-BaO-B2O3-SiO2 为主要成份,把该玻璃对前述陶瓷成份添加1-40重 量%。8.如申请专利范围第6项所述的高频用介电质 组成物,其中,陶瓷成份中之从TiO2,SrTiO3 及CaTiO3的群所选择之1种或2种以上的副成份之合 计的比例为20克分子%以下。9.如申请专利范围第7 项所述的高频用介电质组成物,其中,前述玻璃为 包含MgO:20-50重 量%,BaO:5-25重量%,B2O3:15-30重量%及SiO2:10-25重量%之MgO -BaO -B2O3-SiO2系 玻璃,将该玻璃对前述陶瓷成份添加2-30重量%者。 10.一种高频用介电质组成物,其特征为,对根据Srx( Ni1/3Nb2/3)yO3(但是,x/y =0.96- 1.06)及Ba(MII1/3MV2/3)O3(但是,MII表示Ni,Mg或Zn,MV表示Nb 或Ta,MV为Nb时MII为Ni ,Mg或Zn,而MV为Ta时MII为Mg或Zn。)而成的陶瓷成份添 加0.1-50重量%之玻璃者。11.如申请专利范围第10项 所述的高频用介电质组成物,其中,前述陶瓷成份 组成,系以(1- ) Srx(Ni1/3Nb2/3)yO3 Ba(MII1/3MV2/3)O3(但是,MII表示Ni,Mg或Zn,MV表示Nb或Ta, MV为Nb时MII为Ni,Mg或 Zn,而MV为Ta时MII为Mg或Zn为0≦≦0.8。)表示者 。12.如申请专利范围第10项所述的高频用介电质 组成物,其中,前述玻璃系以 MgO-BaO-B2O3-SiO2为主要成份,将该玻璃对前述陶瓷成 份添加1-40重量%者。13.如申请专利范围第11项所述 的高频用介电质组成物,其中,Ba (MII1/3MV2/3)O3为 Ba(Ni1/3Nb2/3)O3,而系0<≦0.8者。 13.如申请专利范围第11项所述的高频用介电质组 成物,其中,Ba (MII1/3MV2/3)O3为 Ba(Ni1/3Nb2/3)O3,而系0<≦0.8者。14.如申请专利范围 第11项所述的高频用介电质组成物,其中,Ba (MII1/3MV 2/3)O3为 Ba(Ni1/3Nb2/3)O3,而系0<≦0.34者。15.如申请专利范 围第11项所述的高频用介电质组成物,其中,Ba (MII1/ 3MV2/3)O3为 Ba(Ni1/3Nb2/3)O3,而系0<≦0.33者。16.如申请专利范 围第11项所述的高频用介电质组成物,其中,Ba (MII1/ 3MV2/3)O3为 Ba(Ni1/3Nb2/3)O3,而系0<≦0.73者。17.如申请专利范 围第11项所述的高频用介电质组成物,其中,Ba (MII1/ 3MV2/3)O3为 Ba(Ni1/3Nb2/3)O3,而系0<≦0.76者。18.如申请专利范 围第12项所述的高频用介电质组成物,其中,前述玻 璃为包含MgO:20-50 重量%,BaO:5-25重量%,B2O3:15-30重量%及SiO2:10-25重量%之 MgO-BaO-B2O3-SiO2 系玻璃,把该玻璃对前述陶瓷成份添加2-30重量%者 。 |
