可增进线宽解析度的光罩及其制造方法

摘要

一种可增进线宽解析度的光罩及其制造方法，其主要是利用透光率大体为100%的材质，如石英，形成光罩基板;并在光罩基板的表面，利用透光率大体为O%的材质,如二元式光罩(Binary Intensity Mask，BlM)的铬膜，形成致密图案区、及利用透光率介于5%及30%间的材质，如衰减式相位移光罩(Attenuated Phase Shift Mask， APSM)的MoSiON膜，形成稀疏图案区。如此，致密图案区的解析度(Resolution)及稀疏图案区的焦距深度(Depth Of Focus，DOF)便可以兼顾。另外，稀疏图案区亦可以具有一罩幕差值(Mask Bias)，用以进一步改善得到的影像分布(Aerial Image)及焦距深度。

主权项

1.一种可增进线宽解析度的光罩制造方法,包括: 以一透光率大体为100%的材质形成该光罩的基板; 在该光罩的基板表面,以一透光率大体为0%的材质 形成该光罩的致密图案区;以及 在该光罩的基板表面,以一透光率介于5%及30%间的 材质形成该光罩的稀疏图案区。2.如申请专利范 围第1项所述可增进线宽解析度的光罩制造方法, 其中,该透光率大体为 100%的材质为石英。3.如申请专利范围第1项所述可 增进线宽解析度的光罩制造方法,其中,该透光率 大体为0% 的材质为铬。4.如申请专利范围第1项所述可增进 线宽解析度的光罩制造方法,其中,该透光率介于5% 及 30%间的材质为MoSiON。5.如申请专利范围第1项所述 可增进线宽解析度的光罩制造方法,其中,该光罩 的稀疏图案 区更施加有一罩幕差値(Mask Bias)。6.一种可增进线 宽解析度的光罩,包括: 一由一透光率大体为100%的材质所构成的基板; 一由一透光率大体为0%的材料所构成,且形成于该 基板表面的致密图案区;以及 一由一透光率介于5%及30%间的材料所构成,且形成 于该基板表面的稀疏图案区。7.如申请专利范围 第6项所述可增进线宽解析度的光罩,其中,该透光 率大体为100%的材质 为石英。8.如申请专利范围第6项所述可增进线宽 解析度的光罩,其中,该透光率大体为0%的材质为 铬。9.如申请专利范围第6项所述可增进线宽解析 度的光罩,其中,该透光率介于5%及30%间的材 质为MoSiON。10.如申请专利范围第6项所述可增进线 宽解析度的光罩,其中,该稀疏图案区更具有一罩 幕 差値(Mask Bias)。图式简单说明: 第一图A是传统二元式光罩的剖面图; 第一图B是第一图A再加上一抗反射层的剖面图; 第二图A是传统衰减式相位移光罩的剖面图; 第二图B是第二图A衰减式相位移光罩的俯视图; 第三图为本发明可增进线宽解析度的光罩的俯视 图;以及 第四图为本发明可增进线宽解析度的光罩的制造 流程图。