| 主权项 |
1.一种阴极射线管,系为针对具备:具有形成至少1条的电子束且射出的电子束形成部及加速此电子束且使其集束的主透镜部之电子枪构体;及产生为了偏向从该电子枪构体所放出的电子束而朝画面上的水平方向及垂直方向扫描的偏向磁场之偏向轭等之阴极射线管;其特征为:前述主电子透镜部具有因沿着电子束的进行方向连续增大的电位分布而形成之依序第1,第2,第3透镜领域;其第2透镜领域具备当对于朝向画面中央部之无偏向电子束的进行方向相互正交的方向为水平方向及垂直方向时,对于前述水平方向的集束力形成前述垂直方向的集束力为相对地相异之非对称透镜的手段。2.如申请专利范围第1项之阴极射线管,其中含有前述非对称透镜之主电子透镜部,系为同步于前述偏向磁场,而变化透镜作用;前述非对称透镜,系为随着以前述偏向磁场增大电子束的偏向量而从画面中央部朝向画面周边部,其透镜作用,系为朝水平方向为集束作用而动作,朝垂直方向为发散作用而动作。3.如申请专利范围第1或2项之阴极射线管,其中对于随着前述电子束的偏向量增大,前述主电子透镜部的第1及第3透镜领域的透镜作用,在于水平方向及垂直方向减弱集束力,被形成在前述第2透镜领域的非对称透镜,相对地使其作动其透镜作用,朝水平方向为集束作用,朝垂直方向为发散作用。4.如申请专利范围第1或2项之阴极射线管,其中随着前述电子束的偏向量增大,前述主电子透镜部全体的水平方向的透镜作用实质上不变。5.如申请专利范围第1或2项之阴极射线管,其中前述主电子透镜部,系为以含有供给第1准位的电压之电极,及供给比第1准位还高的第2准位电压之电极,及被配置在这些的2个电极之间同时供给第1准位及第2准位的略中间之略同准位的电压之至少2个中间电极等的复数个电极而被构成;前述非对称透镜,系为被形成在该2个中间电极之间。6.如申请专利范围第5项之阴极射线管,其中被形成在前述2个中间电压之间的非对称透镜,系为同步于前述偏向磁场而变化透镜作用。7.如申请专利范围第1项之阴极射线管,其中沿着在前述主电子透镜部的电子束进行方向之电位分布,在于无偏向时,实质上为依序增大。8.如申请专利范围第2项之阴极射线管,其中对于随着前述电子束的偏向量增大,前述主电子透镜部之第1及第3透镜领域的透镜作用,在于水平方向及垂直方向减弱集束力,被形成在前述第2透镜领域的非对称透镜,在电子束集中到画面中央部之无偏向时,相对地使其具有发散作用的水平方向成分,及集束作用的垂直方向成分而作用;在电子束集中到画面周边部之偏向时,相对地使其具有集束作用的水平方向成分,及发散作用的垂直方向成分而作用。9.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中前述主电子透镜部,依序配置供给第1准位的电压之第1栅极,及供给比第1准位还高的第2准位电压之第4栅极,及被配置在前述第1栅极与第4栅极之间同时供给前述第1及第2准位的略中间之略同准位的电压之至少2个的朝电子束进行向方邻接之第2栅极与第3栅极;前述第1透镜领域,被形成在前述第1栅极与第2栅极之间;含有前述非对称透镜的前述第2透镜领域,被形成在前述第2栅极与第3栅极之间;前述第3透镜领域,被形成在前述第3栅极与第4栅极之间;在无偏向时,被供给到前述第2栅极之电压比被供给到前述第3栅极之电压还低;在偏向时,被供给到前述第2栅极之电压比被供给到前述第3栅极之电压还高。10.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中前述主电子透镜部,依序配置供给第1准位的电压之第1栅极,及供给比第1准位还高的第2准位的电压之第4栅极,及被配置在前述第1栅极与第4栅极之间同时供给前述第1及第2准位的略中间之略同准位的电压之至少2个的朝电子束进行方向邻接之第2栅极与第3栅极;前述第1透镜领域,被形成在前述第1栅极与第2栅极之间;含有前述非对称透镜的前述第2透镜领域,被形成在前述第2栅极与第3栅极之间;前述第3透镜领域,被形成在前述第3栅极与第4栅极之间,在无偏向时,被供给到前述第2栅极之电压比被供给到前述第3栅极之电压还高;在偏向时,被供给到前述第2栅极之电压比被供给到前述第3栅极之电压还低。11.如申请专利范围第9,10或11项之阴极射线管,其中使其同步于前述偏向磁场,变化前述非对称透镜的透镜作用,而在前述第2栅极加入重叠交流电压之电压。12.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中前述主电子透镜部,在无偏向时,朝电子束的进行方向,依序配置供给第1准位的电压之第1栅极,及供给比第1准位还高的第2准位的电压之第2栅极,及加入比第1及第2准位还高的第3准位的电压之第3栅极,及加入比第1-3栅极还的第4准位的电压之第4栅极;前述第1透镜领域,以前述第1及第2准位的电位差而被形成在前述第1栅极与第2栅极之间;含有前述非对称透镜的前述第2透镜领域,以前述第2及第3准位的电位差而被形成在前述第2栅极与第3栅极之间;前述第3透镜领域,以前述第3及第4准位的电位差而被形成在前述第3栅极与第4栅极之间;在无偏向时,被供给到前述第2栅极之电压比被供给到前述第3栅极之电压还低;在偏向时,被供给到前述第2栅极之电压比被供给到前述第3栅极之电压还高;将随着电子束的偏向量增大而变化为抛物线状的电压重叠在前述第2准位的电压,加入到前述第2栅极。13.如申请专利范围第8项之阴极射线管,其中前述主电子透镜部,在无偏向时,朝电子束的进行方向,依序配置供给第1准位的电压之第1栅极,及供给比第1准位还高的第2准位的电压之第2栅极,及加入比第1及第2准位还高的第3准位的电压之第3栅极,及加入比第1-3栅极还高的第4准位的电压之第4栅极;前述第1透镜领域,以前述第1及第2准位的电位差而被形成在前述第1栅极与第2栅极之间;含有前述非对称透镜的前述第2透镜领域,以前述第2及第3准位的电位差而被形成在前述第2栅极与第3栅极之间;前述第3透镜领域,以前述第3及第4准位的电位差而被形成在前述第3栅极与第4栅极之间;在无偏向时,被供给到前述第2栅极之电压比被供给到前述第3栅极之电压还高;在偏向时,被供给到前述第2栅极之电压比被供给到前述第3栅极之电压还低,将随着电子束的偏向量增大而变化为抛物线状的电压重叠在前述第2准位的电压,加入到前述第2栅极。图式简单说明:第一图A及B系为用以说明枕型的偏向磁场造成电子束的横向变形现象之图。第二图A系为表示过去电子枪构体的构造之断面图;第二图B及第二图C系为表示构成适用于此电子枪构体的4极子透镜之板状电极之正面图。第三图系为用以说明在第二图A所示电子枪构体之电子束的轨道及透镜动作之图。第四图系为表示作为本发明阴极射线管的一例之自我会聚方式直线排列型彩色显像管的概略构造之水平断面图。第五图A系为适用于本发明第1实施例形态之阴极射线管的电子枪构体之水平断面图;第五图B系为此电子枪构体之垂直断面图。第六图A系为概略表示第五图A所示电子枪构体的主电子透镜之构成图;第六图B系为表示被加入到此电子枪构体的主电子透镜部之各栅极的电压准位之分布图。第七图A系为从萤光幕侧正视适用于本发明的阴极射线管之电子枪构体的筒状电极之正面图;第七图B系为从萤光幕侧正视此电子枪构体的板状电极之正面图;第七图C系为从阴极侧正视此电子枪构体的板状电极之正面图;第七图D系为从阴极侧正视此电子枪构体的筒状电极之正面图。第八图系为用以说明在第五图A所示电子枪构体之电子束的轨道与透镜之图。第九图A及B系为概略表示为了构成其他的4极子透镜部而被组合成的板状电极之图;第九图C系为表示适用于本发明的电子枪构体之板状电极的其他例之图;第九图D系为表示适用在本发明的电子枪构体之筒状电极的其他例之图。第十图A及B系为概略表示为了构成其他的4极子透镜而被组合的电极之图。第十一图A系为概略表示第1实施形态之其他电子枪构体的主电子透镜部之水平断面图;第十一图B系为第十一图A所示主电子透镜部之垂直断面图。第十二图系为用以说明第1实施形态的其他电子枪构体所形成电子束的轨道及透镜动作之图。第十三图A系为概略表示适用于本发明第2实施形态的阴极射线管之电子枪构体的主电子透镜之构成图;第十三图B系为表示被加入到此电子枪构体的主电子透镜部之各栅极的电压准位之分布图。第十四图系为用以说明在第十三图A所示电子枪之电子束的轨道及透镜动作之图。第十五图A系为概略表示第2实施形态之其他电子枪构体的主电子束部之水平断面图;第十五图B系为第十五图A所示主电子透镜部之垂直断面图。第十六图系为用以说明第2实施形态的其他电子枪构体所形成电子束的轨道及透镜动作之图。 |
