| 主权项 |
1.一种非对称电晶体的结构,该非对称电晶体至少包括:一闸极,该闸极至少包括一氧化层与一传导层,该闸梗系形成于一底材之上;一间隙壁,该间隙壁系位于该闸极的侧壁;一源极,该源极系位于底材上;一汲极,该汲极系位于底材上,同时该闸极所覆盖之该底材系位于该汲极与该源极之间;一轻搀杂汲极,该轻搀杂汲极系位于该底材中靠近该汲极的部份,并位于该间隙壁之下;和一杂质搀杂袋,该杂质搀杂袋系位于该源极与部份之该闸极之下。2.如申请专利范围第1项之非对称电晶体的结构,其中上述之底材至少包括:P型底材或N型底材。3.如申请专利范围第1项之非对称电晶体的结构,其中上述之传导层的材料种类至少包括多晶矽、金属与金属矽化物。4.如申请专利范围第1项之非对称电晶体的结构,其中上述之杂质搀杂袋的极性与该底材相同,但浓度较该底材高。5.如申请专利范围第1项之非对称电晶体的结构,其中上述之杂质搀杂袋的杂质种类至少包括硼与磷。6.如申请专利范围第1项之非对称电晶体的结构,其中上述之杂质搀杂袋并未和该轻搀杂汲极与该汲极发生接触。7.如申请专利范围第1项之非对称电晶体的结构,其中上述之杂质搀杂袋并未和该闸极发生接触。8.一种形成非对称电晶体的制造方法,该方法至少包括下列步骤:形成一闸极在一底材上;形成一光阻在该底材上,该光阻至少覆盖该底材中对应到一汲极的区域;对该底材进行一第一杂质的布植程序以形成一杂质搀杂袋,该布植程序所搀杂之第一杂质并不是垂直入射到该底材,同时该杂质搀杂袋大致系位于该底材中对应到一源极的区域;对该底材进行一第二杂质的布植程序以将该第二杂质植入到该源极;移除该光阻;对该底材进行一第三杂质的布植程序,该布植程序系将第三杂质同时植入到该底材上对应到该源极与该汲极的区域;形成一间隙壁在该闸极的侧壁上,该间隙壁所覆盖之该汲极区域为一轻搀杂汲极;和对该底材进行一第四杂质的布植程序以形成该汲极与该源极。9.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之第一杂质的极性与该底材的极性相同,该第一杂质的可能种类至少包括硼与磷。10.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之第一杂质射入到该底材的角度约为15度到45度。11.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之第一杂质的浓度大约为每立方公分1E14到1E15个,且该第一杂质的浓度必需使得该杂质搀杂袋的杂质浓度较该底材的杂质浓度高。12.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之该第一杂质的能量大约为30到80Kev。13.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之杂质搀杂袋的轮廓除取决于该第一杂质的入射角度与能量,也取决于该光阻所覆盖的区域。14.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之杂质搀杂袋并未和该闸极发生接触。15.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之第二杂质的极性与该第三杂质的极性相同。16.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之第二杂质的浓度较该第三杂质的浓度来得高。17.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之第四杂质的极性与该第三杂质的极性相同。18.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之第四杂质的浓度较该第三杂质的浓度来得高。19.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述之轻搀杂汲极与该汲极并未和该杂质搀杂袋发生接触。图式简单说明:第一图显示习知之的电晶体结构;第二图显示根据本发明之一实施例,非对称电晶体结构;和第三图A到第三图D显示根据本发明之另一实施例,非对称电晶体制造方法不同阶段的横截面示意图。 |
