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1.一种高功率雷射二极体的制作方法,包括: 提供一磊晶片,包含有一活性层、一包覆层与一顶 盖 层; 蚀刻该磊晶片以定义出一背脊的宽度; 形成一非晶系隔离层,以定义出一埋入的背脊结构 ; 以及 进行后续的金属化制程。2.如申请专利范围第1项 所述之高功率雷射二极体 的制作方法,其中该包覆层为一P型的磷化铝铟(P- AlIn P)材质。3.如申请专利范围第1项所述之高功率雷 射二极体 的制作方法,其中该顶盖层为一P型的砷化镓(P-GaAs) 材质 。4.如申请专利范围第1项所述之高功率雷射二极 体 的制作方法,其中定义该背脊的步骤包含: 在该顶盖层上形成一硬罩幕层; 定义出该硬罩幕层的图案;以及 以该硬罩幕图案为遮幕,蚀刻掉该顶盖层并部份蚀 刻 掉该包覆层,以定义出该埋入的背脊结构。5.如申 请专利范围第4项所述之高功率雷射二极体 的制作方法,其中该硬罩幕层为一二氧化矽(SiO2)层 。6.如申请专利范围第5项所述之高功率雷射二极 体 的制作方法,其中该二氧化矽层系于250℃下热氧化 形 成厚度约2500-3000A。7.如申请专利范围第4项所述之 高功率雷射二极体 的制作方法,其中该包覆层被蚀刻至距离该活性层 为0. 2m。8.如申请专利范围第1项所述之高功率雷射 二极体 的制作方法,系以一非等向性蚀刻法蚀刻出该埋入 的背脊 结构。9.如申请专利范围第8项所述之高功率雷射 二极体 的制作方法,其中该非等向性蚀刻法为一活性离子 蚀刻 (RIE)法。10.如申请专利范围第1项所述之高功率雷 射二极 体的制作方法,其中该非晶系的隔离层为一非晶系 砷化镓 层。11.如申请专利范围第1项所述之高功率雷射二 极 体的制作方法,其中该非晶系的隔离层系以一分子 束磊晶 成长(MBE)法形成。12.如申请专利范围第1项所述之 高功率雷射二极 体的制作方法,其中该非晶系的隔离层系以一金属 有机化 学气相沈积(MOCVD)法形成。13.如申请专利范围第1 项所述之高功率雷射二极 体的制作方法,其中该非晶系的隔离层系以一电子 束蒸镀 (electron beam evaporation)法形成。14.如申请专利范围 第1项所述之高功率雷射二极 体的制作方法,其中该非晶系的隔离层系以一溅镀 (sputtering)法形成。15.如申请专利范围第1项所述之 高功率雷射二极 体的制作方法,其中该非晶系隔离层系于操作温度 250 ℃下形成的厚度约为0.7-0.8m。 |
