发明名称 Methode zur Herstellung eines Feldeffekt-Transistors unter Benutzung eines SOI-Substrates
摘要
申请公布号 DE69800374(D1) 申请公布日期 2000.12.07
申请号 DE19986000374 申请日期 1998.04.22
申请人 SHARP K.K., OSAKA 发明人 SOUTOME, YOSHIHIRO
分类号 H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/28 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址