| 主权项 |
1.一种半导体结构,该结构至少包含:一底材;一沟槽隔离区,该沟槽隔离区在该底材的表面形成;一低压槽在该沟槽隔离区下方形成;及一高压槽在该沟槽隔离区下方形成,并且包含该低压槽。2.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之高压槽的浓度较该低压槽的浓度低。3.如申请专利范围第1项之结构,其中上述沟槽隔离区是以氧化矽填入沟槽形成。4.如申请专利范围第3项之结构,更包含一层以热氧化法形成之氧化矽层。5.如申请专利范围第1项之结构,其中上述底材至少包含一矽层。6.一种高压元件的隔离装置,该装置至少包含:一矽底材;一沟槽隔离区,该沟槽隔离区在该底材的表面形成;一低压井在该沟槽隔离区下方形成;及一高压井在该沟槽隔离区下方形成,并且包含该低压井。7.如申请专利范围第6项之装置,其中上述之高压井的浓度较该低压井的浓度低。8.如申请专利范围第6项之装置,其中上述沟槽隔离区是以氧化矽填入沟槽形成。9.如申请专利范围第8项之装置,更包含一层以热氧化法形成之氧化矽层。10.一种形成隔离结构的方法,该方法至少包含:提供一底材;在该底材表面形成一高压槽;在该高压槽上方形成一沟槽隔离区;及在该沟槽隔离区下方形成一低压槽,该低压槽位于该高压槽内。11. 如申请专利范围第10项之方法,其中上述高压槽的离子浓度较该低压槽的离子浓度低。12. 如申请专利范围第10项之方法,其中上述沟槽隔离区是以氧化矽填入沟槽形成。13. 如申请专利范围第12项之方法,更包含一个以热氧化法形成氧化矽的步骤14. 如申请专利范围第10项之方法,其中上述底材至少包含一矽层。15. 一种形成整合性高压元件的隔离装置的方法,该方法至少包含:提供一矽底材;在该底材表面形成一高压井;在该高压井上方形成一沟槽隔离区;及在该沟槽隔离区下方形成一低压井,该低压井位于该高压井内。16. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述高压井的离子浓度较该低压井的离子浓度低。17. 如申请专利范围第15项之方法,其中上述沟槽隔离区是以氧化矽填入沟槽形成。18. 如申请专利范围第17项之方法,更包含一个以热氧化法形成氧化矽的步骤。 |
